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目录
第1章绪论1
1.1引言1
1.2MoS和GaO的制备手段及性质研究2
223
1.2.1MoS制备手段及性质研究2
2
1.2.2GaO制备手段及性质研究4
23
1.3MoS基复合材料研究现状6
2
1.3.1MoS与宽带隙半导体复合结构研究现状6
2
1.3.2MoS与不同基底复合研究现状7
2
1.4本论文主要研究内容8
第2章MoS2基复合材料的实验设计及基础表征10
2.1引言10
2.2MoS2基复合材料的实验设计10
2.2.1MoS/GaO异质结的实验设计10
223
2.2.2MoS2与不同基底复合的实验设计12
2.3MoS2基复合材料的形貌结构及生长机理14
2.3.1GaO和MoS的形貌结构及生长机理14
232
2.3.2MoS/GaO异质结的形貌结构及生长机理16
223
2.3.3MoS2与不同基底复合的形貌结构及生长机理20
2.4本章小结23
第3章MoS2基复合材料的线性光学表征24
3.1引言24
3.2MoS/GaO异质结的光激发跃迁及电子转移机制24
223
3.2.1MoS/GaO异质结光激发跃迁及能带计算24
223
3.2.2MoS/GaO异质结发光及电子转移机制26
223
3.3MoS基复合材料的线性光模拟、电子转移及应变计算29
2
3.3.1MoS基复合材料的线性光模拟及发光光谱29
2
3.3.2MoS基复合材料的电子转移及应变计算32
2
3.4本章小结34
第4章MoS2基复合材料的非线性光学及瞬态光谱研究35
4.1引言35
4.2MoS2基复合材料的非线性光学特性35
4.2.1MoS/GaO异质结构非线性光学特性35
223
4.2.2MoS2与不同基底复合的非线性光学特性36
4.3MoS2基复合材料的瞬态吸收光谱研究37
4.3.1MoS/GaO异质结瞬态吸收光谱研究37
223
4.3.2MoS2与不同基底复合的瞬态吸收光谱研究38
4.4本章小结42
结论43
参考文献44
摘要
摘要
自石墨烯材料被发现以来，过渡金属硫化物由于具有新奇的层状结构和有趣
的电子性质，在光电子和自旋电子器件的应用成为科研热点。原子层厚的MoS2
作为新型二维材料，具有带隙可调、强光物质相互作用等丰富的光学和电学特性。
然而较窄的吸收范围和较高的载流子复合率，降低了MoS2的发光效率，限制了其
在光电器件中进一步的发展。目前，MoS2基复合材料的研究将作为改善其半导体
结构和性能热点，进一步推动MoS基高质量光电器件的制造本文采用两步射频
2
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