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第1页,共30页,星期日,2025年,2月5日第4章主存储器Chapter4MainMemoryAwordinmemoryisanentityofbitsthatmoveinandoutofstorageasaunit.Amemorywordisagroupof1’sand0’sandmayrepresentanumber,aninstructioncode,oneormorealphanumericcharacters,oranyotherbinary-codedinformation.Agroupofeightbitsiscalledabyte.第2页,共30页,星期日,2025年,2月5日随机(读写)存储器RandomAccessMemory(RAM)只读存储器ReadOnlyMemory(ROM)PROM可编程序只读存储器掩膜ROMEPROM可擦除的可编程序只读存储器E2PROM电可擦除的可编程序只读存储器FlashMemory快闪存储器(电可擦除)保存信息的原理:双极型MOS型SRAM:触发器DRAM:MOS管的栅极电容。SRAMStaticRAMDRAMSRAMDynamicRAM现代计算机的主存储器都是半导体存储器IC。半导体RAM在断电后数据会丢失,属于易失性(Volatile)存储器只读存储器属于非易失性(Non-volatile)存储器。§4.1主存储器分类、技术指标和基本操作第3页,共30页,星期日,2025年,2月5日主存储器的可寻址的最小信息单位是1个存储字(存储单元)。1、存储容量MemorySize/Capacity1M=220=1024K=210K1G=230=1024M=210M1T=240=210G存储器的容量通常表示为:m字×k位。例如,1个4096×32的存储器芯片的容量就是16KB。存储单元MemoryLocation可寻址单元AddressableLocation地址空间AddressSpaceCPU的地址线容量单位:字节Byte,字Word,位bit。1Byte=8bit主存储器的主要技术指标主存储器容量SM=W·l·m=存储器字长×每个存储体的字数×并行工作的存储体个数主存储器用于暂时存储CPU当前正在使用的指令和数据。第4页,共30页,星期日,2025年,2月5日2、存取速度⑴存取时间Ta(访问时间,MemoryAccessTime)由系统规定取决于存储器芯片从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。⑵存储周期Tm(读写周期,MemoryCycleTime)连续启动2次独立的存储器操作所间隔的最小时间。一般TmTaBm是存储器被连续访问时可以提供的数据传输率(bit/s)⑶主存带宽Bm提高主存带宽的措施:缩短存取周期,增加存储字长W,增加存储体。Bm=W/Tm当总线宽度w与存储器字长W不一致时,Bm=w/Tm第5页,共30页,星期日,2025年,2月5日主存储器的基本操作处理器地址寄存器AR数据寄存器DR主存储器地址总线数据总线控制总线R/W第6页,共30页,星期日,2025年,2月5日主存储器的读写时序1.存储器读的时序处理器把要访问的存储单元地址送上地址总线,发存储器读命令存储器读周期被选中的存储器芯片对地址译码,打开三态门将选中的单元内容送上数据总线DB,处理器从DB读入数据。AddressData地址总线AB数据总线DB第7页,共30页,星期日,2025年,2月5日2.存储器写的时序处理器把要访问的存储单元地址送上地址总线AB,把要写的数据送上数据总线DB,发存储器写命令。被选中的存储器芯片对地址译码,将DB上的数据写入选中的存储单元。AddressData地址总线AB数据总线DB存储器写周期第8页,共30页,星期日,2025年,2月5日存储器芯片内部:地Y0址Y1译Y2码Y3器存储单元00存储单元01存储单元10存储单元11A0A1行地址译码列地址译码A0A1A3A2读写控制I/ORowAddressColumnAddress4×4存储矩阵0001
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