ZnIn2S4光催化剂的改性及其制氢性能的研究.doc

1

摘要

能源问题已经成为21世纪关注的重点问题之一，新能源的开发迫在眉睫，氢能作为一种绿色能源受到广泛研究。ZnIn?S4作为重要的II-III?-IV?三元硫化物半导体，其独特的晶体结构使其具有许多独特的光学和光电特性，具有合适的带隙宽度可响应可见光，并且具有相当好化学稳定性。但体相的ZnIn?S?电子-空穴对极易发生复合，电子利用率很低，限制其光催化产氢活性。

为解决上述问题，采用表面修饰和异质结复合的方法对ZnIn?S4进行改性处理，研究了其结构，形貌及其性能的关系，并探究了改性后催化剂的催化机理。

(1)通过简单的热回流法制备了超薄ZnIn?S4纳米片，探究了纳米层厚度对催化剂制氢性能的影响。实验结果表明，超薄ZnIn?S4纳米片的光催化制氢性能有所提升。其原因归结于超薄ZnIn?S4纳米片的电子更容易转移到材料表面参加制氢反应。在此基础上，对超薄ZnIn?S4纳米片进行Ni金属掺杂改性处理，发现其催化活性进一步增强，其原因归结于Ni离子的掺杂为提供了ZnIn?S4纳米片更多的活性位点，同时增加了ZnIn?S4纳米片的可见光吸收。

(2)通过水热法和共沉淀法合成了CdS量子点/ZnIn?S4纳米花异质复合光催化剂，探究了CdS负载量对CdS/ZnIn?S?复合光催化剂光催化产氢性能的影响。实验结果表明，CdS/ZnIn?S4复合光催化剂表现出优良的光催化产氢活性，负载量最佳(0.01MCdS/ZnIn?S?)的光催化剂的产氢速率为2581μmol-g?1·h-1,约是纯CdS的30倍，约是纯ZnIn?S?的2.5倍。其原因是：CdS的负载，增加了ZnIn?S?的可见光响应；CdS量子点负载ZnIn?S?纳米花多级结构的形成，有效的增加了两个半导体界面接触，加速了两个半导体界面电荷的传递效率；typeⅡ型异质结构的成功构建，有效抑制了电子-空穴对的复合。

关键词：光催化，ZnIn?S4,CdS,产氢，掺杂

2

Abstract

Energyissueshavebecomeoneofthekeyissuesofconcerninthe21stcentury.Thedevelopmentofnewenergysourcesisimminent.Hydrogenenergyiswidelystudiedasagreenenergysource.ZnIn?S4isanimportantII-III2-IV4ternarysulfidesemiconductor.Itsuniquecrystalstructuremakesithavemanyuniqueopticalandoptoelectroniccharacteristics,withasuitablebandgapwidthcanrespondtovisiblelight,andhasquitegoodchemicalstability.However,thebulkZnIn?S4electron-holepairisveryeasytorecombine,andtheelectronutilizationrateisverylow,whichlimitsitsphotocatalytichydrogenproductionactivity.

Inordertosolvetheaboveproblems,ZnIn?S4wasmodifiedbysurfacemodificationandheterojunctioncompoundingmethod,therelationshipbetweenitsstructure,morphologyandperformancewasstudied,andthecatalyticmechanismofthemodifiedcatalystwasexplored.

(1)Ultra-thinZnIn?S4nanosheetswerepreparedbya