TCSTM00985—2023低损耗介质板的复介电常数测试分离式圆柱谐振腔法.docxVIP

ICS31.180

CCSL30

团体标准

T/CSTM00985—2023

低损耗介质板的复介电常数测试分离式圆柱谐振腔法

Testmethodforthecomplexpermittivityoflow-lossdielectricplates－Split-cylinderresonatormethod

2023-04-07发布 2023-07-07实施

中关村材料试验技术联盟 发布

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目次

前言 2

引言 3

范围 4

规范性引用文件 4

术语和定义 4

符号和缩略语 4

原理 5

环境条件 5

仪器设备 6

样品要求 6

测试步骤 6

样品预处理 6

仪器准备 6

样品尺寸测量 6

空腔校准测试 6

常温测试 7

高温测试 7

低温测试 7

计算 8

介电常数温度系数 8

介质损耗角正切温度系数 8

注意事项 8

试验报告 9

附录A（资料性）介电常数和介质损耗角正切计算 10

附录B（资料性）测试系统连接框图 13

附录C（资料性）起草单位和主要起草人 15

前 言

本文件参照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》，GB/T20001.4—2015《标准编写规则第4部分：试验方法标准》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国材料与试验标准化委员会电子材料标准化领域委员会（CSTM/FC51）提出。本文件由中国材料与试验标准化委员会电子材料标准化领域委员会（CSTM/FC51）归口。

引 言

采用分离式圆柱谐振腔法进行测试，规定了2GHz~100GHz宽带范围内的介电常数、介质损耗角正切、介电常数温度系数和介质损耗角正切温度系数的测试方法，适用于市场需求日益迫切的通信用介质板、薄膜等材料的介电性能测试，为材料出厂测试-过程验证-改善验证-终端应用的良性循环提支撑和依据。对比国内外现有标准情况，改进优化的地方：

测试频段拓展至2GHz~100GHz；

细化了温度系数（TCDk、TCDf）的测试步骤，提高测试的一致性和可重复性；c）描述了在试验过程中影响试验结果的注意事项。

低损耗介质板的复介电常数测试分离式圆柱谐振腔法

重要提示：使用本文件的人员应有正规实验室工作的实践经验。本文件并未指出所有可能的安全问题。使用者有责任采取适当的安全和健康措施，并保证符合国家有关法规规定的条件。

范围

本文件规定了介质平板材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切的分离式圆柱谐振腔法，包括原理、环境条件、仪器设备、样品要求、测试步骤、计算公式、注意事项和试验报告等内容。

本文件适用于测试片状材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切，电场平行于平板表面。频率测试范围：??=2GHz~100GHz；

介电常数测试范围：??′??=2.0~100；

损耗角正切测试范围：????????=1.0×10?5~1.0×10?2；

温度测试范围：??=?65℃~125℃。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2036印制板电路术语

术语和定义

GB/T2036界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

介电常数dielectricconstant

规定形状电极之间填充电介质获得的电容量于相同结构间以真空或空气介质时的电容量之比。[来源：GB/T2036-1994，6.3.6]

3.2

介电损耗角正切dielectricdissipationfactor

对电介质施加正弦波电压时，通过介质的电流相量超前于电压相量间的相角的余角称为损耗角，对该损

耗角取正切函数，即为介质损耗角正切值，也称为损耗因数。[来源：GB/T2036-1994，6.3.7，有修改]

符号和缩略语

下列符号和缩略语适用于本文件。

?0：

真空介电常数，约等于8.854187817×10-12F/m

?r?：

?r????/?0，相对介电常数实部，简称介电常数，同义词：Dk

tan?：

tan???r?/?r?，介电损耗角正切，同义词：Df

H