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多尺度模拟：解锁二维材料表面功能化与设计的密钥

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学的前沿领域中，二维材料以其独特的原子结构和卓越的物理化学性质，成为众多领域研究的焦点。自2004年石墨烯被成功剥离以来，二维材料家族不断壮大，包括过渡金属硫化物（如MoS?、WS?）、六方氮化硼（h-BN）、黑磷等，它们展现出了在电子学、能源、催化、传感器等领域的巨大应用潜力。

在电子学领域，随着硅基半导体晶体管尺寸逐渐逼近物理极限，以MoS?为代表的二维半导体材料因其高迁移率、超薄厚度（小于1nm）和平面易集成等特点，被视为延续摩尔定律的理想候选材料之一。多层MoS?相较于单层，具有