电磁场的基本方程.pptVIP

2.4证明导电媒质内部ρv=0。;［解］利用电流连续性方程(2-31),并考虑到J=σE,有其解为例第63页，共111页，星期日，2025年，2月5日导体内的电荷极快地衰减,使得其中的ρv可看作零。铜σ=5.8×107S/mε=ε0τ=1.5×10-19sρv随时间按指数减小驰豫时间:衰减至ρv0的1/e即36.8%的时间,τ=ε/σ(s)第64页，共111页，星期日，2025年，2月5日一、一般媒质分界面上的边界条件()§2-4电磁场的边界条件在不同媒质的分界面上，媒质的电磁参数?、?、?发生突变，因而分界面处的场矢量E、H、D、B也会突变，麦克斯韦方程组的微分形式失去意义。此时，有限空间中场量之间的关系是由积分形式的麦克斯韦方程组制约的，边界条件就由它导出。1、的边界条件Theboundaryconditionsfortime-varyingfields第65页，共111页，星期日，2025年，2月5日为表面传导电流密度。式中：为由媒质2－1的法向。特殊地，若介质分界面上不存在传导电流，则结论：当分界面上存在传导面电流时，切向不连续，其不连续量等于分界面上面电流密度。当且仅当分界面上不存在传导面电流时，切向连续。第66页，共111页，星期日，2025年，2月5日2、的边界条件结论：只要磁感应强度的时间变化率是有限的，切向连续。3、的边界条件结论：在边界面上，法向连续。第67页，共111页，星期日，2025年，2月5日4、的边界条件为分界面上自由电荷面密度。特殊地：若媒质为理想介质，则,此时有当分界面上存在自由电荷时，切向不连续，其不连续量等于分界面上面电荷密度。当且仅当分界面上不存在自由电荷时，切向连续。第68页，共111页，星期日，2025年，2月5日5、J的边界条件第69页，共111页，星期日，2025年，2月5日在理想介质分界面上，不存在自由电荷和传导电流。二、理想介质分界面上的边界条件在理想介质分界面上，矢量切向连续在理想介质分界面上，矢量法向连续BoundaryconditionsBetweentwoPerfectdielectrics第70页，共111页，星期日，2025年，2月5日在理想导体内部，在导体分界面上，一般存在自由电荷和传导电流。式中：为导体外法向。三、理想导体分界面上的边界条件对于时变场中的理想导体，电场总是与理想导体相垂直，磁场总是与理想导体相切。BoundaryconditionsBetweenPerfectconductorsandperfectdielectric第71页，共111页，星期日，2025年，2月5日时变场的边界条件包括四个关系式。可以证明它们并不是相互独立的，当满足两个切向分量的边界条件的，必定满足两个法向分量的边界条件。说明：在理想介质的分界面上，用于定解的边界条件为，分析电磁波在理想介质分界面上的反射和透射时就要使用这个边界条件。理想介质和理想导体只是理论上存在。在实际应用中，某些媒质导电率极小或者极大，则可视作理想介质或理想导体进行处理。在理想介质与理想导体的分界面上，用于定解的边界条件为或。分析电磁波在理想导体表面上的反射时就要使用这个边界条件。第72页，共111页，星期日，2025年，2月5日同轴线横截面如图2-9（a）所示。设通过直流I,内外导体上电流大小相等，方向相反。求各区中的H和▽×H,并验证各分界处的边界条件。例第73页，共111页，星期日，2025年，2月5日在直流情形下内外导体中电流密度是均匀的,分别为解第74页，共111页，星期日，2025年，2月5日（2）（3）第75页，共111页，星期日，2025年，2月5日以上▽×H结果证明表2-1中的麦氏方程组式(b)处处成立。下面再验证边界条件:（4）第76页，共111页，星期日，2025年，2月5日例2.6设平板电容器二极板间的电场强度为3V/m,板间媒质是云母,εr=7.4,求二导体极板上的面电荷密度。［解］参看图2-9(b),把极板看作理想导体,在A,B板表面分别有第77页，共111页，星期