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镍基单晶高温合金制备技术规范籽晶法.pdf

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镍基单晶高温合金制备技术规范籽晶法

1范围

本文件规定了使用籽晶法制备镍基单晶高温合金的制备总则、条件要求及制备程序。

本文件适用于使用籽晶法制备镍基单晶高温合金。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

籽晶法seedcrystalmethod

用于制备单晶材料的重要技术方法,在材料科学领域,特别是在制备镍基单晶高温合金等高性能材

料方面应用广泛。

3.2

高真空highvacuum

气体分子密度极低(约为标准大气压下的百万分之一),分子间碰撞频率显著降低,气体行为以自

由运动为主。

4制备总则

4.1精确控制晶体取向

籽晶的晶体取向至关重要,需根据镍基单晶高温合金部件的性能要求进行精确选择和控制。一般来

说,使籽晶的方向与部件的最大受力方向一致,能让合金取得最佳的综合力学性能。

4.2保证籽晶质量

籽晶应具备与目标合金成分匹配、晶体结构完整、表面光洁无缺陷等特点。在制备籽晶时,应确保

其尺寸精度、形状规则性以及晶体取向的准确性。同时,需对籽晶进行严格的检测和筛选,去除有缺陷

的籽晶,以保证后续晶体生长的质量。

4.3籽晶制备

4.4确保合金熔体纯净度

选用高纯度的镍、钴、铬、钨、钼、铼、钌、铝、钽、钛等金属原料,并采用先进的熔炼技术,如

真空感应熔炼,在高真空或保护气氛下进行熔炼,以去除杂质、气体等有害成分,获得成分均匀、纯净

度高的合金熔体。

4.5严格控制工艺参数

包括温度、温度梯度、冷却速度、抽拉速率等。在晶体生长过程中,保持固液界面前沿液相中合适

的温度梯度和抽拉速率,有助于维持平整的凝固界面,使晶体沿着籽晶的取向生长,减少杂晶的形成。

4.6保证设备稳定性

使用的定向凝固设备、加热与保温装置、型壳制备设备等应具有良好的稳定性和精度,能够精确控

制各项工艺参数。设备的性能直接影响到制备过程的稳定性和重复性,从而影响最终产品的质量。

4.7注重后续处理

1

制备完成后,对镍基单晶高温合金进行必要的后续处理,如冷却与脱模、性能检测、热处理等。通

过性能检测,如晶体取向检测、力学性能测试、微观组织分析等,评估合金的质量和性能是否满足要求。

根据合金的成分和使用要求,进行固溶处理、时效处理等热处理工艺,进一步提高合金的性能。

5条件要求

5.1原材料要求

5.1.1主要合金元素:镍、铬、钴、钨、钼、铼等主要合金元素的纯度通常要达到99.9%以上,以减

少杂质对合金性能和晶体生长的不利影响。严格按照设计的合金成分进行配料,各元素的含量偏差控制

在极小范围内,一般为±0.05%~±0.1%。

5.1.2微量元素:氧含量应控制在≤0.0015wt%,氮含量≤0.0020wt%,硫含量控制在≤1ppm。

5.2设备要求

5.2.1真空熔炼设备:具备高真空度,通常要达到10⁻³Pa,以防止金属液在熔炼过程中氧化和吸气。

5.2.2定向凝固设备:能够精确控制温度梯度、冷却速度和抽拉速率等参数。温度控制精度要达到±1℃

以内,温度梯度可在5℃/mm~50℃/mm范围内精确调节,抽拉速率能在0.1mm/min~10mm/min范围

内稳定控制。

5.2.3加热与保温装置:提供均匀稳定的加热场,确保炉内温度均匀性在±5℃以内,以保证合金熔

体和籽晶处于合适的温度环境。

5.2.4型壳制备设备:能够制备出尺寸精度高、表面光洁度好、热稳定性强的型壳,型壳的尺寸偏差

控制在±0.1mm以内,表面粗糙度Ra小于1.6μm。

5.3工艺参数要求

5.3.1籽晶处理:籽晶需经过精细加工和清洗,其晶体取向偏差控制在±0.5°以内,表面粗糙度Ra

达到0.2μm~0.4μm。

5.3.2熔炼工艺:采用合适的熔炼工艺,如真空感应熔炼或电子束熔炼,熔炼温度根据合金成分控制

在1500℃~1600℃,熔炼时间一般为2小时~4小时,以确保合金成分均匀。

5.3.3浇铸工艺:浇铸温度一般比合金熔点高50℃~100℃,浇铸速度控制在5kg/min~15kg/min,

保证合金液平稳充型。

5.3.4定向凝固工艺:固液界面的温度梯度一般在10℃/cm~30℃/cm,冷却速度在1

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