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AGM8N20D
●GeneralDescription
Prdu
octSma
TheAGM8N20Dcombinesadvancedtrenchumry
MOSFETtechnologywithalowresistancepackage
toprovideextremelylowRDS(ON).
BVRDNID
DSSSO
Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery
protectionapplications.200V450mΩ8.0A
●Features
TO-P
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology252inConfiguration
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■100%Avalanchetested
■100%DVDStested
●Application
■MB/VGAVcore
nd
■SMPS2SynchronousRectifier
■POLapplication
■BLDCMotordriver
akageMaderingInfor
Pcrkirmti
ngandOaon
pQuantity
elTewi
DvDDReSizadt
eieevievieh
cMarcecePc
kingakage
AGM8N20DAGM8N20DTO-252330mm
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