原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
AGM15T16D
●GeneralDescription
Pru
dctSma
TheAGM15T16Dcombinesadvancedtrenchoumry
MOSFETtechnologywithalowresistancepackage
toprovideextremelylowRDS(ON).
ThisdeviceisidealswitchandbatteryBVRDONID
forloadDSSS
protectionapplications.
●Features150V14mΩ61A
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology
TO-252PinConfiguration
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■100%Avalanchetested
■100%DVDStested
●Application
■ElectronicBallast
■ElectronicTransformer
■SwitchModePowerSupply
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
AGM15T16DAGM15T16DTO-252330mm16mm2500
Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)
℃
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-SourceVoltage(VGS=0V）150V
VGSGate-SourceVoltage(VDS=0V)±20V
DrainCurrent-Continuous(
您可能关注的文档
- AGMsemi-AGM6N20D VER2.65宏盛微半导体11.pdf
- AGMsemi-AGM8N20D VER2.66宏盛微半导体14.pdf
- AGMsemi-AGM9N20D VER2.65 低开宏盛微半导体15.pdf
- AGMsemi-AGM12T05D VER2.5宏盛微半导体18.pdf
- AGMsemi-AGM12T12D VER2.72 (1)宏盛微半导体19.pdf
- AGMsemi-AGM13T15D VER2.55宏盛微半导体21.pdf
- AGMsemi-AGM14N10D VER2.6宏盛微半导体23.pdf
- AGMsemi-AGM15N10D VER2.72宏盛微半导体24.pdf
- AGMsemi-AGM15N10D-G VER2.72宏盛微半导体25.pdf
- AGMsemi-AGM16N10D VER2.72宏盛微半导体29.pdf
- AGMsemi-AGM18N10D VER2.71宏盛微半导体30.pdf
- AGMsemi-AGM18N20D VER2.65宏盛微半导体31.pdf
- AGMsemi-AGM20T45D VER2.55宏盛微半导体32.pdf
- AGMsemi-AGM40N10D VER2.65宏盛微半导体40.pdf
- AGMsemi-AGM55N15D VER2.67宏盛微半导体46.pdf
- AGMsemi-AGM402D-G VER2.5宏盛微半导体61.pdf
- AGMsemi-AGM418D VER2.55宏盛微半导体62.pdf
- AGMsemi-AGM1099D VER2.73宏盛微半导体65.pdf
文档评论（0）