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AGM15N10D-G
●GeneralDescription
ProductSummary
TheAGM15N10D-Gcombinesadvancedtrench
MOSFETtechnologywithalowresistancepackageto
provideextremelylowRDS(ON)
ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionBVDSSRDSONID
applications.
100V68mΩ16A
●Features
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology
TO-252PinConfiguration
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■10%
0Avalanchetested
■100%DVDStested
●Application
■MB/VGAVcore
■SMPSnd
2SynchronousRectifier
■POLapplication
■BLDCMotordriver
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
AGM15N10D-GAGM15N10D-GTO-252330mm16mm2500
Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)
℃
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-SourceVoltage(VGS=0V）100V
VGSGate-SourceVoltage(VDS=0V)±20V
ai(Note1)16A
DrnCurrent-Continuous(Tc25℃)
ID
c
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