光电检测技术基础(Ⅱ)课件.pptVIP

在PN結兩端通過負載RL構成的回路中，外電流I與光生電流Ip和PN結結電流IJ之間的關係為由PN結電流特性知，結電流所以光生電壓為半導體物理基礎一、半導體的特性電阻溫度係數是負的，對溫度變化敏感。導電性能受微量雜質的影響而發生十分敏感的變化。導電能力和性質受外界作用發生重要的變化。二、半導體的能帶能帶理論：晶體中的電子只能處於能帶的能級上，且每一個能帶中都有與原子總數相適應的能級數。泡利原理：在每一個能級上最多只能容納兩個自旋方向相反的電子。半導體晶體能帶圖：導帶價帶滿帶禁帶禁帶根據能量最小原理，電子填充能帶時，總是從最低的能帶、最小能量的能級開始填充。滿帶：任何時間都填滿電子數。價帶：絕對零度時，價帶為價電子占滿。而導帶中沒有電子。導帶：價帶中電子獲得足夠的熱能或輻射能後，就會越過禁帶進入導帶。三、半導體的類型

1、I型半導體（本征半導體）：I型半導體是完全純淨或結構完整的半導體，是完全由基質原子組成的晶體。在絕對零度時，不受外界影響的情況下，導帶沒有電子，價帶也沒有空穴，因此不能導電。在熱運動或外界的影響下，價電子躍遷到導帶，產生自由電子和空穴，構成導電載流子。2、N型半導體對N型半導體，施主雜質中的電子只要獲得很小的能量，就能脫離原子而參加導電，由於導帶中的電子在導電中起主要作用，因此也稱為“電子型半導體”。由能級圖可見，施主能級處於禁帶內導帶底的下麵。電子從施主能級躍遷到導帶所需的能量。在常溫下，電子所具有的平均熱能就足以使施主原子電離。因此，對N型半導體具有較高的電導率。3、P型半導體P型半導體是以空穴為主導電的半導體，這樣的半導體也稱為“空穴型半導體”。由能級圖可見，受主能級處於禁帶內價帶頂的上方，價帶電子躍遷到受主能級所需的電離能。這時由於電子填充了共價鍵中的空位而出現空穴。在常溫下，電子所具有的平均熱能就足以使受主原子電離。因此，對P型半導體具有較高的電導率。說明：從半導體載流子的濃度考慮，若在無輻射時電子和空穴的濃度分別為n和p，則當n＜＜p時，這種半導體稱為P本征半導體；當n＞＞p時，稱為N型半導體；當n＝p時，稱為I型半導體。四、熱平衡載流子費米-狄拉克分佈函數禁帶寬度半導體費米能級五、非平衡載流子非平衡載流子定義壽命複合陷阱效應六、載流子的運動擴散運動漂移運動愛因斯坦關係：描述擴散運動與遷徙率的關係七、光輻射與半導體的相互作用

當光輻射作用在半導體上時，半導體吸收光輻射能量，價帶的電子獲得輻射能後將躍遷到導帶，產生新的電子空穴對，形成非平衡載流子，從而提高材料的電導率。半導體對光輻射的吸收分為本征吸收、雜質吸收、載流子吸收、激子和晶格吸收五種光吸收效應。⒈本征吸收?本征吸收是指電子在輻射作用下，從價帶躍遷到導帶的吸收。研究本征吸收時應考慮半導體的能帶結構。如前所述，對直接帶隙材料，電子所需的能量應大於或等於能隙Eg；而對間接帶隙材料，電子除需要大於或等於能隙的能量外，還需要聲子的能量。⒉雜質吸收在半導體禁帶記憶體在雜質能級時，在小於能隙能量的光子作用下，雜質能級和相應的能帶間出現電子躍遷而形成的非平衡載流子－電子或空穴。雜質吸收的光譜區位於本征吸收的長波方向，其光子能量應大於或等於所需的電離能。⒊載流子吸收載流子濃度很大（~）時，導帶中的電子和價帶中的空穴產生帶內能級間躍遷而出現的非選擇性吸收⒋激子和晶格吸收?指所吸收輻射的能量轉變為晶格原子的振動能量，或由庫侖力相互作用形成電子和空穴的能量。這種吸收對光電導沒有貢獻，甚至會降低光電轉換效率。第五節光電效應光電效應的定義光電效應的分類光電效應的物理現象一、光電效應物質在光的作用下，不經升溫而直接引起物質中電子運動狀態發生變化，因而產生物質的