晶体三极管课件.ppt

晶体三极管晶体三极管具有放大、开关、振荡、混频、频率交换等作用，通常晶体三极管可以处理的功率至几百W，频率至几GHz左右。一、概述1.晶体三极管的各种形状2.晶体三极管的名称和分类晶体三极管的名称根据JISC7012，按下图所示决定。公司晶体三极管产品的名称3DD488200NPYLSA1三极管低频大功率芯片尺寸4.88mmce耐压200V类型NPN平面工艺背面金属为银正面金属为铝版本号3.晶体三极管的结构和电路符号二、晶体三极管的主要参数1。三极管的直流参数2。三极管的交流参数3。三极管的极限参数3。三极管的主要特性曲线三、普通硅平面三极管工艺1。平面三极管纵向结构2.平面三极管平面结构梳状结构反覆盖结构3.NPN平面三极管工艺流程序号工序描述处理条件1来料接收二部投片[SL5N1-P8]N/掺砷ρ0.005Ω·cm2外延SiHCl3N型外延N型,1050℃，先本征外延1um；再生长11um，掺磷，ρ=1.3Ω·cm3氧化,器件N氧化900℃60′H2/O2+1050℃62′H2/O24激光打标激光打标硅片正面刻批号、片号5基区光刻6氧化800±80?1000℃(62′)O27硼注入硼注入B+，60keV5.0E14cm-28P型退火P型退火1200℃30′N2+30′H2/O29发射区光刻10磷涂布器件磷涂布500RPM2”+2000RPM10”+BAKE11涂布磷预扩涂布磷预扩条件待定，Rs=4±1Ω/□12N型退火退火根据HFE确定序号工序描述处理条件13孔光刻14Al蒸发1AL蒸发AL，2.5±0.2um15Al反刻16合金退火430℃30′N217钝化PECVD淀积380℃5000ASIO2+5000ASIN18刻压点19减薄减薄细磨后晶片揭膜厚度：210±10um20背面蒸发背面蒸发21送出二部出货二部出货4.PNP平面三极管工艺流程序号工序描述处理条件1来料接收二部投片SL5P1-P17/掺硼0.005≤ρ≤0.008Ω.cm2外延SiHCl3P型外延P型，1050℃先本征外延1um,再生长13um，掺硼，ρ=2Ω·cm3氧化器件P氧化900℃60′H2/O2+1050℃62′H2/O24激光打标激光打标硅片正面刻批号、片号5基区光刻6氧化800±80?1000℃(62′)O27磷注入磷注入P+,120keV3.0E14cm-28N型退火N型退火1200℃40′N2+40′H2/O29浓基区光刻10磷预淀积Rs=10±2Ω/□950℃20′N2/O2+30′POCl3+50′N2/O211氧化E区氧化950℃60′H2/O212发射区光刻13硼涂布硼涂布1500RPM20”+BAKE14涂布硼预扩涂布硼预扩条件待定，Rs=5±1Ω/□序号工序描述处理条件15P型退火退火根据HFE确定16孔光刻17Al蒸发1AL蒸发AL，2.5±0.2um18Al反刻19合金退火430℃30′N220钝化PECVD淀积380℃5000ASIO2+5000ASIN21刻压点22减薄减薄细磨后晶片揭膜厚度：210±10um23背面蒸发背面蒸发24送出二部出货二部出货四、三极管的常见问题可能原因：表面沾污、扩散异常引起的基区表面反型主要措施：提高基区表面浓度，消除表面沾污、扩散异常可能原因：发射区偏出基区、针孔、缺陷等引起CE两极存在电阻通道主要措施：提高发射区对基区套刻精度，消除针孔、缺陷1。Ce漏电，软击穿原因：基区宽度随集电极电压增高而变小主要措施：提高基区宽度、基区浓度2。厄尔利电压偏小主要原因：表面沾污、缺陷引起的基区输运系数下降主要措施：A.减少表面沾污、缺陷B.改善表面钝化工艺C.改用100材料3。K值偏小4。饱和压降偏大主要原因：外延电阻率太高或厚度太厚主要措施：降低外延电阻率或厚度主要原因：衬底电阻率太高或厚度太厚、Rb偏大主要措施：A.降低衬底电阻率或厚度B.减小Rb5。接触电阻偏大主要原因：正面或背面si