GB/T 45719-2025半导体器件　金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验.pdf

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

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GBT457192025IEC624162010

半导体器件金属氧化物半导体()

MOS

晶体管的热载流子试验

—()

SemiconductordevicesHotcarriertestonmetal-oxidesemiconductorMOS

transistors

(:,—

IEC624162010SemiconductordevicesHotcarriertestonMOS

,)

transistorsIDT

2025-05-30发布2025-09-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

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GBT457192025IEC624162010

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4符号和缩略语……………1

5测试结构…………………2

6应力时间…………………2

7应力条件…………………2

8样本量……………………3

9温度………………………3

10失效判据…………………3

11寿命评估方法……………3

12寿命时间要求……………4

13报告………………………4

参考文献………………………6

Ⅰ

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