自支撑GaN衬底：制备、特性与应用前景的深度剖析.docx

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2025-06-27 发布于上海
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自支撑GaN衬底：制备、特性与应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体技术的持续演进历程中，材料的创新始终是推动产业进步的核心驱动力。自支撑GaN衬底作为第三代半导体材料中的关键代表，近年来在科研与产业领域均成为研究的焦点，展现出极为重要的地位。

以硅（Si）为代表的第一代半导体材料，在过去几十年间有力推动了集成电路产业的飞速发展，广泛应用于消费电子、计算机等众多领域，奠定了现代信息技术的基础。然而，随着科技的迅猛发展，尤其是在5G通信、新能源汽车、高效电力传输等新兴领域，对半导体器件在高温、高压、高频等极端条件下的性能提出了严苛要求，第一代半导体材料因自身物理特