基于ZnO纳米线异质结的制备及光电性能研究.docxVIP

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2025-06-30 发布于北京
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基于ZnO纳米线异质结的制备及光电性能研究

一、引言

近年来，随着纳米科技的快速发展，ZnO纳米线因其优异的物理和化学性质，在光电器件、传感器、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。其中，ZnO纳米线异质结作为半导体器件的核心部分，其制备工艺和光电性能的研究成为了热点领域。本文以基于ZnO纳米线异质结的制备及光电性能研究为主题，通过实验探究其制备过程及性能表现。

二、实验材料与方法

1.材料准备

实验所需材料包括：氧化锌（ZnO）粉末、掺杂元素（如铝、镁等）的氧化物粉末、基底材料（如硅片等）、催化剂（如金等）。

2.制备方法

采用化学气相沉积法（CVD）制备ZnO纳米线，再通过异质结工艺制备