结型场效应晶体管.pptVIP

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2025-07-18 发布于广东
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结型场效应晶体管.ppt

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第1页，共21页，星期日，2025年，2月5日BJTFET电流控制器件电压控制器件双极器件单极器件依靠少子工作,噪声大依靠多子工作,噪声低输入阻抗低输入阻抗高,利于直接耦合,输入功耗小温度稳定性差温度稳定性好,具有零或负的温度系数工艺较复杂,集成度低制造工艺较BJT简单,EMOS有天然的隔离,集成度高第2页，共21页，星期日，2025年，2月5日6.1.1pnJFET的基本结构第3页，共21页，星期日，2025年，2月5日第4页，共21页，星期日，2025年，2月5日第5页，共21页，星期日，2025年，2月5日6.2器件的特性第6页，共21页，星期日，2025年，2月5日6.2.1内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压内建夹断电压：夹断电压：第7页，共21页，星期日，2025年，2月5日第8页，共21页，星期日，2025年，2月5日第9页，共21页，星期日，2025年，2月5日耗尽层宽度：第10页，共21页，星期日，2025年，2月5日y处电流第11页，共21页，星期日，2025年，2月5日第12页，共21页，星期日，2025年，2月5日均匀分布情况第13页，共21页，星期日，2025年，2月5日6.2.3MESFET基本结构第14页，共21页，星期日，2025年，2月5日MESFET工作原理E型MESFET开启电压第15页，共21页，星期日，2025年，2月5日