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《激光解键合工艺仿真要求》

标准编制说明

《激光解键合工艺仿真要求》标准起草组

2024年5月25日

1、标准范围。

本标准规定了激光解键合工艺仿真的一般要求，基本流程，以及

仿真方案的制定、仿真模型构建、仿真运行分析、结果评价与优化的

详细要求。

本标准适用于超薄器件相关产品制造过程中激光解键合工艺仿

真有关的应用验证、结构开发、参数优化等。

2、工作简况。

1

（）任务来源

20241

激光解键合工艺仿真要求项目自年月起，由武汉大学牵

头，武汉理工大学、中国科学院微电子研究所、苏州晶方半导体科技

股份有限公司、华天科技（昆山）电子有限公司、中机生产力促进中

心有限公司、中关村光电产业协会等单位共同预研、编制。

（2）编制背景和目的意义

MEMS器件体积小、重量轻、功耗低、性能优异，广泛用于航

空航天、物联网、自动驾驶等领域。国家出台一系列政策，不断加大

对MEMS传感器产业发展的支持，加强关键共性技术攻关，积极推

动创新成果商品化成果化等。2017年和2020年工信部发布的《智能

“”

传感器产业三年行动指南》和《工业强基重点产品、工艺一条龙应

用计划和示范项目》中，兼顾MEMS技术，针对关键环节重点基础

产品工艺，推动相关重点项目建设和技术突破。2021年颁布的《“十

四五”智能制造发展规划》将智能传感器制造作为发展关键词，要求

”2021

突破一批“卡脖子智能制造部件与装置。年工信部提出的《基

2021-2023

础电子元器件产业发展行动计划（）年》要求重点发展小

型化、低功耗、集成化的新型MEMS传感器和智能传感器。目前国

内高端MEMS市场进口产品占比达80%，而封测是MEMS传感

器从研发走向产业化的最重要环节，亟需突破高端MEMS芯片先进

封测难题。激光解键合作为先进封装关键技术——超薄晶圆处理的重

要手段已经成为大尺寸器件加工过程中主要的解键合方式，解键合效

果受不同工艺参数如激光能量密度、激光光斑大小等因素的影响，需

要通过仿真的技术手段优化工艺参数，节省成本。但是激光解键合工

艺仿真缺乏规范的仿真标准，会导致仿真结果出现偏差以及不可靠

现象。

3

（）主要工作过程

20241

年月，由武汉大学牵头，联合武汉理工大学、中国科学

院微电子研究所、苏州晶方半导体科技股份有限公司、华天科技（昆

山）电子有限公司、中机生产力促进中心有限公司、中关村光电产业

协会等单位召开项目研究工作会，初步成立了标准工作小组。

202419

年月号，标准工作组组织线上会议，研究相关标准的

推进工作计划。

202424

年月至月，标准工作组开展关于激光解键合工艺仿真

技术的背景调研，针对激光解键合工艺仿真的要求、基本流程、仿真

目标等关键问题进行深入研究，经过广泛讨论、充分实践，形成工作

组标准草案。

202451

年月号，组织了标准草案的线上工作讨论会，进一步

针对标准的细节进行探讨。

2024521

年月号，编写工作组根据前期调研内容以及研讨意见，

编写研制了《激光解键合工艺仿真要求》团体标准征求意见稿。

3、标准编制原则和确定标准主要内容的依据：

1

（）标准编制原则

(a)规范性原则。本标准经过了科学的研究，进行了预先设计