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ESC根底培训
ElectrostaticChuckBasic 2
CoulombicChuck 2
Johnsen-RahbekChuck 4
BipolarE-chuckchuckingscheme 6
BipolarE-chuckchuckingscheme 7
BipolarE-chuckdechuckingscheme 9
BipolarE-chuckSchematics 10
BipolarE-chuckOperationScheme 10
MonopolarE-chuck 12
MonopolarE-chuckSchematics 13
LowTempCeramicPuck 14
LowTempCeramicPuck:Embossment 15
LowTempCeramicPuck 16
LowTempE-chuckPuck:Electrodes 16
LowTempE-chuck 17
InterfaceBox 19
VoltageonTerminals 19
CrAssembly 20
FilterAssembly 21
RFCableAssembly 21
RFCableAssembly 22
BipolarE-chuckPowerSupply 23
TCandTCAmplifier 24
PowerSuppliesConfiguration 25
SurfaceContamination 26
ESC根底培训
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ElectrostaticChuckBasic
LuChiangLiang7/25/2010
CoulombicChuck
●CoulombicforceoncapacitorF=Y2εεoAE2=12EεoA(V2/d2)E=V/d
●ε:alumina8.5;quartz3.9;PTFE2.1
图1.库仑原理图示
ESC原理是很简单的,依靠静电引力将硅片吸引在ESC上。静电引力即库仑力,大小受到距离及介质影响,也与电压相关。
ESC根底培训
第3页共31页
●Wherearethecharges?
●Monopolarchuck:thechuckingvoltageapplytothewaferthroughthechamberplasma
Plasma
Plasma
wafer
↓Ed
V
图2.单极ESC原理示意图
单极ESC形成库仑力需要借助Plasma,从而导通Wafer与腔室壁,形成回路,类似电容充电。因此单极ESC与Wafer形成库仑力需要一定的外部条件。
●Bipolarchuck:equivalenttotwocapacitorsinseries
图2.双极ESC原理示意图
双极ESC相当于两个电容的串连,无需借助外界条件,存在Wafer,加载ESCDC,即形成静电引力,从而吸附Wafer。
ESC根底培训
第4页共31页
图3.双极ESC电路等效图
●Canawaferwithaglasscarrierbechucked?
图4.特殊硅片Chucking原理示意图
特殊形式硅片,例如反面加载一层玻璃的硅片〔TSV玻璃Wafer〕也是可以形成静电引力的,但形成库仑力的几个要素都需要重新考虑,比方间距、介质等都需要考虑玻璃的因素而改变。
另外,TSV玻璃会导致硅片变形,影响ChuckingForce非常严重。
Johnsen-RahbekChuck
·Lowresistivitypuck
·JRcurrentmustpresent
·RgRe,thereforeVgVe
图5.JR型E-Chuck原理示意图
ESC根底培训
第5页共31页
图5.JR型E-Chuck电路等效图
JR型E-Chuck原理是20世纪中期开展的,两个物质相接触,即使双方平整度很高,但真
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