第二章薄膜制备技术修改.pptVIP

气体放电等离子体：●离子－电子与气体粒子间非弹性碰撞的产物－失去电子后的气体粒子。●等离子体－电子和离子总数基本相等，整体呈现电中性的气态导体。●气体放电－正、负两电极间的间距、电压、气压满足一定条件时，绝缘气体变成导电气体的现象。第94页，共157页，星期日，2025年，2月5日（2）溅射镀膜的特点相对于真空蒸发镀膜，溅射镀膜具有如下特点：（a）对于任何待镀材料，只要能作成靶材，就可以实现溅射；（b）溅射所获得的薄膜与基片结合较好；（c）溅射所获得的薄膜纯度高，致密性好；（d）溅射工艺可重复性好，膜厚可控制，同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。溅射存在的缺点是，相对于真空蒸发，它的沉积速率低，基片会收到等离子体的辐照等作用而产生温升。第95页，共157页，星期日，2025年，2月5日2.3.2射频溅射(R.Fsputtering)在溅射靶上加有射频电压，在射频电压（极间电压变化频率超过10MHz）作用下，利用电子和离子运动特性的不同，在靶的表面上感应出负的直流脉冲，而产生溅射现象，对绝缘体也能进行溅射镀膜，这就是射频溅射。射频溅射是为了克服直流溅射不能溅射介质靶材的缺点而设计的，靶材作为一个电极，其上施加高频电压，穿过靶的是位移电流。第96页，共157页，星期日，2025年，2月5日它是适用于各种金属和非金属材料的一种溅射沉积方法。射频溅射适用于绝缘体、导体、半导体等任何一类靶材的溅射。优点：可溅射介质靶材，工作电压、气压均较直流放电低。缺点：成膜速率低，仍有基片过热问题。第97页，共157页，星期日，2025年，2月5日一般来说，在射频中使用的电源已属于射频范围，其频率区间为5～30MHz。国际上通常采用的射频频率多为美国联邦通讯委员会（FCC）建议的13.56MHz。在射频电场的作用下，电子在被阳极吸收之前，能在阴、阳极之间的空间来回振荡，因而有更多的机会与气体分子产生碰撞电离，因此射频溅射可以在低气压（低到2×10-2Pa）下进行。射频溅射的主要特点是可以溅射任何固体材料，包括导体、半导体和绝缘体材料作的靶。这主要是因为在绝缘靶表面上建立起负偏压的缘故。第98页，共157页，星期日，2025年，2月5日Veryhighfrequency(VHF)是指频带由30MHz到300MHz的无线电电波.比VHF频率低的是高频(HF),比VHF频率高的是特高频(UHF)。中频电源常用40kHz，适用于300~800V系统，其能够有效防止沉积真空室内的“打火”现象，并且与射频电源相比，与靶之间的连接比较简单，不需要复杂的阻抗匹配调节，薄膜沉积率和可靠性都比较高。第99页，共157页，星期日，2025年，2月5日2.3.3磁控溅射(MagnetronSputtering)从以上讨论我们知道，溅射沉积方法具有两个缺点：第一，溅射方法沉积薄膜的沉积速度较低；第二，溅射所需的工作气压较高，这两者的综合效果是气体分子对薄膜产生污染的可能性提高。因而，磁控溅射技术作为一种沉积速度较高、工作气体压力较低的溅射技术具有其独特的优越性。磁控溅射(MagnetronSputtering,MS)是20世纪70年代迅速发展起来的一种高速溅射技术。磁控溅射指平行于阴极表面施加强磁场，将电子约束在阴极靶材表面近域，提高电离效率。磁控溅射的原理是：在一定的真空条件下，通过施加于靶材与基片的负电压差，产生一个与磁场正交的电场。使电子在电场的作用下冲击Ar原子，电离大量的Ar＋快速冲撞靶材。使阴极靶材快速沉积到基片上，实现溅射镀膜。第100页，共157页，星期日，2025年，2月5日磁控溅射按照溅射源的类型分为平面磁控溅射、圆柱面磁控溅射和S枪溅射。磁控溅射是通过施加磁场改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，从而提高它们相互碰撞的几率，进而提高电子对工作气体的电离效率和溅射沉积率。磁控溅射具有沉积温度低、沉积速率高两大特点。第101页，共157页，星期日，2025年，2月5日第102页，共157页，星期日，2025年，2月5日设备名称：三靶多功能磁控溅射仪第103页，共157页，星期日，2025年，2月5日图2-2磁控溅射原理图磁控溅射指平行于阴极表面施加强磁场，将电子约束在阴极靶材表面近域，提高电离效率。第104页，共157页，星期日，2025年，2月5日磁控溅射特点（1）电场与磁场正交设置，约束电子在靶面近域，致使靶面近域有高密度等离子体，溅射速率很高；（2）磁控溅射源相对被镀件独立，基片不再受电子轰击而升温，可对塑料等不耐高温的基片实现溅射镀膜；（3）磁控溅射源可以象热蒸发源一样使用，从而使