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纳米氧化铟气敏材料：制备、结构剖析与性能调控策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今社会，随着工业化进程的加速，各种有害气体如一氧化碳（CO）、二氧化氮（NO_2）、硫化氢（H_2S）等的排放日益增多，对环境和人类健康造成了严重威胁。同时，在一些特定领域，如工业生产过程监控、食品安全检测、生物医学诊断等，对特定气体的准确、快速检测也有着迫切需求。气体传感器作为检测气体种类和浓度的关键设备，其性能的优劣直接影响到检测的准确性和可靠性。因此，开发高性能的气敏材料成为了气体传感领域的研究热点。

纳米氧化铟（In_2O_3）作为一种重要的n型半导体气敏材料，具有较宽的禁带宽度（3.55-3.