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无损探伤操作规程

一、操作前准备

（一）环境与场地准备

选择通风良好、光线充足、无振动、无电磁干扰的场地进行探伤作业，远离易燃、易爆、腐蚀性物品及强磁场设备（如大型电机、变压器）。

对于射线探伤，需划定警戒区域，设置明显的“当心电离辐射”警示标志，使用警戒线或警示灯隔离，确保无关人员不得进入。根据射线设备类型和能量，确定安全防护距离（如γ射线探伤安全距离不小于50米），并安排专人监护。

超声探伤场地应保持整洁，工件放置平稳，避免在强噪声环境下作业，以免影响探头耦合和信号判断。

磁粉探伤和渗透探伤场地需配备专用清洗区、干燥区和检测区，地面铺设防污垫，防止探伤剂污染环境。

（二）设备与器材检查

射线探伤设备：检查X射线机、γ射线源容器是否完好，射线管、高压电缆有无破损、老化，源容器开关是否灵活可靠，联锁装置是否有效。校准射线剂量仪，确保其在有效期内且测量准确，检查个人剂量计是否正常佩戴。

超声探伤设备：检查超声波探伤仪显示屏是否清晰，按键是否灵敏，探头线连接是否牢固，无接触不良现象。校准探头的前沿距离、折射角、灵敏度余量等参数，试块表面清洁无损伤，耦合剂（如机油、甘油）无变质、杂质。

磁粉探伤设备：检查磁粉探伤机的电源连接是否牢固，接地是否可靠，磁化线圈、触头有无损坏。测试磁粉的磁性、粒度是否符合标准，磁悬液浓度是否适宜（一般浓度为10-20g/L），喷洒装置是否畅通。

渗透探伤设备：检查渗透剂、清洗剂、显像剂是否在有效期内，型号是否匹配（如荧光渗透剂需配套黑光灯）。黑光灯波长应在320-400nm范围内，紫外线强度在距灯管380mm处不低于1000μW/cm2，显像剂喷洒均匀无结块。

通用检查：所有设备的计量器具（如电流表、电压表、剂量仪）需在校准有效期内，仪器外壳无破损，电缆线绝缘层完好，无漏电风险。

（三）工件准备

明确探伤工件的材质、规格、结构及探伤要求，根据图纸或技术文件确定探伤部位、方法、标准和验收等级。

清理工件表面的油污、铁锈、氧化皮、油漆、飞溅物等杂物，采用砂纸、钢丝刷或清洗剂处理，确保表面粗糙度符合探伤要求（如超声探伤表面粗糙度Ra≤6.3μm）。

对于曲面、棱角或不规则工件，需制作专用工装或耦合块，保证探头与工件良好接触；磁粉探伤前需对工件进行退磁处理（如已磁化），避免剩磁影响检测结果。

标记探伤区域，如焊缝位置、检测点编号，确保探伤范围无遗漏，记录工件编号、材质等基本信息。

（四）人员准备

操作人员必须持有相应的无损探伤资格证书（如RT、UT、MT、PTⅡ级及以上资格），熟悉所使用设备的性能、操作方法及安全防护知识。

射线探伤人员需穿戴铅衣、铅帽、铅手套等防护用品，确保铅当量符合要求（如铅衣当量不低于0.5mmPb）；其他探伤人员需佩戴防护手套、护目镜，避免探伤剂接触皮肤。

操作前进行技术交底，明确探伤工艺参数（如射线焦距、曝光时间、超声频率、磁化电流等），对新工件或复杂结构件需制定专项探伤方案。

二、操作步骤

（一）射线探伤操作

工件摆放与曝光参数设置：将工件固定在曝光架上，调整射线源、工件、胶片的相对位置，确保射线中心对准检测区域，焦距符合工艺要求（如X射线焦距一般为600-1000mm）。根据工件厚度、材质，设置管电压、管电流、曝光时间等参数，选择合适的胶片和增感屏，暗盒密封完好。

安全防护确认：操作人员撤离至安全区域，确认监护人员到位，使用剂量仪监测警戒区辐射水平，确保符合安全标准。

曝光操作：启动射线设备，按设定参数进行曝光，曝光过程中不得擅自进入警戒区，密切监控设备运行状态，如有异常立即停机。

胶片处理：曝光完成后，在暗室中进行胶片显影、定影、水洗、干燥处理，严格控制温度和时间（如显影温度20±2℃，时间5-8分钟），避免胶片污染或处理不当导致缺陷显示不清。

评片：在观片灯下观察底片，评片环境亮度应低于30cd/m2，根据标准评定缺陷的位置、大小、数量，出具探伤报告。

（二）超声探伤操作

仪器校准：将探头与试块耦合，校准探伤仪的零点、扫描速度和灵敏度，绘制距离-波幅曲线，确保检测灵敏度符合要求。

工件耦合：在工件检测面和探头上涂抹耦合剂，排除空气，使探头与工件紧密接触，耦合良好。

扫查操作：采用直线扫查、斜平行扫查或环绕扫查等方式移动探头，扫查速度不超过150mm/s，相邻扫查区域重叠宽度不小于探头宽度的10%。观察探伤仪显示屏，记录缺陷波的位置、波高、幅度等信息。

缺陷定位与定量：根据缺陷波在显示屏上的位置，结合探头折射角计算缺陷深度和水平距离，采用6dB法或试块对比法确定缺陷当量大小。

复检确认：对发现的可疑缺陷，改变探头角度或扫查方向进行复检，必要时采用其他探伤方法验证。

（三）磁粉探伤操作

预处理：对工件进行清洗、干燥，确保