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电子级锗烷国家标准修订研究报告

ResearchReportontheRevisionofNationalStandardforElectronicGradeGermane

摘要

本报告围绕电子级锗烷国家标准的修订工作展开研究。锗烷作为集成电路制造中的关键电子气体，其纯度直接影响半导体器件的性能。随着我国集成电路产业向14nm及以下制程发展，现行GB/T31987-2015标准在技术指标、检测方法等方面已无法满足产业需求。本次修订重点更新了纯度计算方法、检验规则等8项技术内容，新增组批规则、安全信息等3项要求。修订后的标准将提升我国电子气体质量控制水平，助力突破卡脖子材料技术瓶颈。研究显示，新标准实施后可使锗烷产品纯度提升至6N（99.9999%）以上，满足5G、人工智能等新兴领域对高端半导体材料的质量需求，对保障产业链安全具有战略意义。

关键词：电子气体；锗烷；国家标准；半导体材料；纯度检测

Keywords:Electronicgas;Germane;Nationalstandard;Semiconductormaterial;Puritytesting

正文

1.修订背景与必要性

电子级锗烷（GeH?）是半导体制造中重要的掺杂气体和沉积前驱体，广泛应用于硅锗异质结、III-V族化合物半导体等先进器件的制备。根据SEMI国际半导体产业协会数据，2023年全球电子气体市场规模达68亿美元，其中锗烷占比约5%，且年增长率保持在12%以上。

现行GB/T31987-2015标准实施近9年来，面临三方面技术滞后：

1.纯度要求仅规定5N级（99.999%），而台积电5nm工艺要求6N级以上

2.检测方法未涵盖ICP-MS等新型分析技术

3.安全规范未参照最新GB30000《化学品分类和标签规范》

本次修订被列入《2024年国家标准制修订计划》（国标委发〔2023〕53号），由中国电子技术标准化研究院牵头，联合中芯国际、长江存储等产业链龙头企业共同完成。

2.主要技术修订内容

2.1关键技术指标升级

-纯度计算：采用分项累加法替代原总杂质扣除法，明确要求：

-主体含量≥99.9999%（6N）

-单项金属杂质（Fe、Ni、Cu）≤0.1ppb

-颗粒物控制引入SEMIF57标准要求（≥0.2μm颗粒≤5个/L）

2.2检测方法优化

新增三项先进检测技术：

1.气相色谱-脉冲放电检测器（GC-PDD）测定碳氢化合物

2.电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）分析金属杂质

3.激光粒子计数器监控颗粒物

2.3安全管理强化

参照联合国GHS制度，新增：

-安全数据表（SDS）编制要求

-应急处理程序（泄漏、火灾等场景）

-运输包装符合GB12463《危险货物运输包装通用技术条件》

3.参与单位介绍：中国电子技术标准化研究院

作为本次标准修订的牵头单位，中国电子技术标准化研究院（CESI）是工业和信息化部直属的国家级标准化科研机构。在电子材料领域：

-承担TC203全国半导体设备和材料标委会秘书处工作

-主导制定GB/T14624《电子工业用气体分类》等基础标准

-建有国家电子气体质量监督检验中心，配备SIMS二次离子质谱仪等尖端设备

本次修订中，CESI组织完成：

1.收集分析美标SEMIC3.39、欧标EN9392等国际先进标准

2.开展12家企业的工艺调研与样品比对测试

3.组织3轮技术论证会，形成科学合理的指标体系

结论与展望

本次标准修订将显著提升我国电子级锗烷产品的国际竞争力，预计可带动相关产业年产值增长15亿元。未来建议：

1.加快配套检测方法标准的制定（如ICP-MS操作规范）

2.推动与SEMI国际标准的互认工作

3.关注锗烷在量子点显示、光伏电池等新兴领域的应用需求

本标准的实施将有效支撑《中国制造2025》中新一代信息技术产业发展目标，为突破高端电子材料卡脖子问题提供标准保障。建议产业链上下游企业提前进行技术改造，以适应新标准要求。

（注：本报告数据来源于国家标准委公开文件、SEMI行业报告及企业调研数据，引用请注明出处）