碳化硅MOS器件电学特性的深入剖析与前沿探索.docx

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2025-07-27 发布于上海
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碳化硅MOS器件电学特性的深入剖析与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今的电力电子领域，随着科技的飞速发展，对功率器件的性能要求日益严苛。传统的硅基功率器件逐渐难以满足诸如新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等新兴应用场景对高效率、高功率密度、耐高温以及高可靠性的需求。碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，凭借其优异的物理电学特性，如宽带隙（约为硅的3倍）、高击穿场强（约为硅的10倍）、高热导率（约为硅的3倍）以及高电子饱和漂移速度等，为解决这些问题提供了新的思路和途径。基于碳化硅材料制造的碳化硅MOS器件应运而生，成为了电力电子领域的研究热点和发