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材料化学系用电子束法加热将避免电阻法的缺点。电子束法是将热发射的电子在电场的作用下，经磁聚焦后形成电子束打在加热器（坩埚）内的膜材料上，膜材料在电子束的轰击下蒸镀到基板上，形成镀膜。坩埚通常要水冷。②电子束加热蒸镀利用电子束加热可以使钨(熔点3380℃)等高熔点金属熔化。此种方法适用于多种膜材料，尤其适用于高熔点的物质。第30页，共62页，星期日，2025年，2月5日材料化学系电子束加热装置结构(热灯丝释出电子)第31页，共62页，星期日，2025年，2月5日材料化学系电子束加工时注意事项当电子束撞击到金属、气体或金属蒸汽时，会产生X射线，伤害人体细胞。在电子束加工中，必须注意X射线辐射对人体的危害。因此需要配置足够厚的钢壁或外壁包铅以防止射线外溢。第32页，共62页，星期日，2025年，2月5日材料化学系图1:薄膜由均匀的微小晶粒组成.图中膜层表面的裂纹是由于基底Ta表面具有一定的粗糙度造成的.第33页，共62页，星期日，2025年，2月5日材料化学系蒸镀实验步骤:1)基片清洗以及安装：对薄膜基片，先用水洗掉灰尘，再用超声波清洗干净，取出后用高纯度氮气吹干，把干净的基片放在样品架指定位置。2)镀膜材料的准备，安放在蒸发用坩埚内。3)盖好钟罩，抽真空，达到蒸发镀膜的真空要求（10-4Pa左右）。4)开启坩埚的加热电源，烘烤样片。5)预熔镀膜材料。第34页，共62页，星期日，2025年，2月5日材料化学系6)移开基片的挡板，设定样片基片的加热程度，把蒸镀材料加热到一定温度（熔点以上），开始蒸镀。7)蒸膜厚度达到要求以后，把挡板拨回原位，依次关闭镀膜材料、基片的加热电源，等基片冷却到室温左右，关闭真空泵，开启钟罩，取出样片进行测试。注意事项1)预熔镀膜材料时要保证挡板挡在样片上。2)样片取出前要冷却样片到室温左右。第35页，共62页，星期日，2025年，2月5日材料化学系沉积合金膜，应在整个基片表面和膜层厚度范围内得到均匀的组分。③合金膜的制备可采用两种方式（p53图3.6）单电子束蒸发源沉积多电子束蒸发源沉积第36页，共62页，星期日，2025年，2月5日蒸镀法制取化合物膜的限制因素:1)大多数的化合物在加热蒸发时会全部或部分分解。所以用简单的蒸镀技术无法由化合物直接制成符合化学计量比的膜层。(但有一些化合物，如氯化物、硫化物、硒化物和碲化物，甚至少数氧化物如B203、Sn02，可以采用蒸镀。因为它们很少分解或者当其凝聚时各种组元又重新化合。)2)与坩埚材料反应从而改变膜层成分。④化合物膜的制取第37页，共62页，星期日，2025年，2月5日材料化学系制取化合物膜的途径是采用反应镀。例如镀制TiC是在蒸镀Ti的同时，向真空室通人乙炔气，在基片上发生以下反应，而得到TiC膜层：2Ti+C2H2一2TiC+H2第38页，共62页，星期日，2025年，2月5日以蒸镀为基础发展起来的分子束外延技术和设备，经过十余年的开发，近年来已制备出各种Ⅲ—V族化合物的半导体器件。外延：沉积膜与基片之间存在一定的结晶学关系。⑤分子束外延(MolecularBeamEpitaxy)（MBE）MBE生长原理在一定的单晶基体上材料衬底上，沿着衬底的某个指数晶面向外延伸生长一层单晶薄膜，如外延膜在同一材料上生长，称为同质外延，如果外延是在不同材料上生长则为异质外延。第39页，共62页，星期日，2025年，2月5日材料化学系在Si（100）表面上异质外延生长了Si1-XGe层在MgO（100）基片上原位制备了YBa2CuO薄膜在超高真空条件下，精确控制原材料的分子束强度，把分子束射入被加热的底片上而进行外延生长的。可在原子尺度上精确控制外延厚度，掺杂和界面平整度的超薄层薄膜制备技术。MBE方法第40页，共62页，星期日，2025年，2月5日材料化学系该技术的特点是：A：系统是超高真空，因此杂质气体不易进入薄膜，薄膜的纯度高。B：外延生长一般可在低温下进行。C：可严格控制薄膜成分以及掺杂浓度。D：对薄膜进行原位检测分析，严格控制薄膜的生长及性质。设备昂贵，维护费用高，生长时间过长，不易大规模生产等。缺点：第41页，共62页，星期日，2025年，2月5日材料化学系装置：工作室分子束喷射源超高真空系统各种监控仪器将制备薄膜所需要的物质和掺杂剂分别放入系统中若干喷射源的坩埚内，加热使物质熔化产生相应的分子束。第42页，共62页，星期日，2025年，2月5日材料化学系MBE/SPM/MOKE/M?ssbauerS