第七章MOS反向器.pptVIP

（3）P沟增强:第31页，共55页，星期日，2025年，2月5日（4）P沟耗尽:第32页，共55页，星期日，2025年，2月5日第二部分MOS反相器反相器是MOS数字集成电路中最基本的单元电路。由于CMOS技术已经发展成为大规模集成电路（VLSI）的主流技术，因此本章以CMOS为主，在这之前先介绍NMOS和其他类型的反相器。第33页，共55页，星期日，2025年，2月5日MOS反相器简介：MOS反相器可分为：静态反相器、动态反相器。其结构如右图：驱动管通常为增强型NMOS，即E-NMOS。负载元件可以是：电阻（E/R反相器），增强型MOS（E/E反相器），耗尽型MOS（E/D反相器），P沟MOS（CMOS）。有比反相器：P113无比反相器：P113负载驱动管MOS静态反相器的一般结构NMOS反相器第34页，共55页，星期日，2025年，2月5日NMOS反相器简介：1.饱和增强型负载NMOS反相器饱和增强型负载NMOS反相器＝教材中的增强型NMOS管M1M1M2M2工作状态?第35页，共55页，星期日，2025年，2月5日饱和增强型负载NMOS反相器Vi为低电平时，根据M1M2可知，当时，其输出高压比电源VDD少了一个阈值电压:这就叫阈值损失。由ID1=ID2的条件可以得到输出低电平：第36页，共55页，星期日，2025年，2月5日2.非饱和增强型负载NMOS反相器为了克服饱和负载反相器输出高电平有阈值损失的缺点，可以把负载管M2的栅极接一个更高的电压VGG，且VGGVDD+VT，使负载管M2由饱和区变为线性区。由线性区电流方程：可得当Vout=VDD时才使ID＝0，因此输出高电平可达到VDD由于要增加一个电压源VGG，给使用带来不便或第37页，共55页，星期日，2025年，2月5日3.耗尽型负载NMOS反相器(VTD0)M2永远导通。输出高电平时，M1截止，M2工作在线性区，得到所以有输出低电平时，M1工作在线性区，M2工作在饱和区当时，得到输出低电平（VG-VT-VS）VGS-VT第38页，共55页，星期日，2025年，2月5日4.电阻负载NMOS反相器容易看出输出高电平后M1导通，输出开始下降当时，第39页，共55页，星期日，2025年，2月5日第1页，共55页，星期日，2025年，2月5日1、在双极型工艺下ECL/CML：EmitterCoupledLogic/CurrentModeLogic射极耦合逻辑/电流型开关逻辑TTL：TransistorTransistorLogic晶体管-晶体管逻辑：IntegratedInjectionLogic集成注入逻辑第2页，共55页，星期日，2025年，2月5日2、在MOS工艺下NMOS、PMOS：MNOS：MetalNitride（氮）OxideSemiconductor(E)NMOS与(D)NMOS组成的单元CMOS:MetalGateCMOSHSCMOS：HighSpeedCMOS（硅栅CMOS）CMOS/SOS：SilicononSapphire（兰宝石上CMOS，提高抗辐射能力）VMOS：VerticalCMOS（垂直结构CMOS提高密度及避免Lutch-Up效应）第3页，共55页，星期日，2025年，2月5日第一部分:MOS晶体管的工作原理MOSFET（MetalOxideSemi-conductionFieldEffectTransistor），是构成VLSI的基本元件。一、半导体的表面场效应1、P型半导体第4页，共55页，星期日，2025年，2月5日2、表面电荷减少第5页，共55页，星期日，2025年，2月5日3、形成耗尽层第6页，共55页，星期日，2025年，2月5日4、形成反型层第7页，共55页，星期日，2025年，2月5日二、MOS晶体管的结构一个典型的NMOS晶体管结构图第8页，共55页，星期日，2025年，2月5日器件被制作在P型衬底(bulk或body)上，两个重参杂的n区形成源区（S）和漏区（D），一个重参杂的多晶硅(导电)作为栅（G），一层薄二氧化硅层使删和衬底隔离。器件的有效作用就发生在删氧化层