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(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中二维电子气与空穴气的特性、影响因素及应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构凭借其独特的物理性质，成为了第三代半导体材料中的研究焦点。自20世纪90年代以来，随着半导体技术的飞速发展，对高性能半导体器件的需求不断增长，(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构应运而生，并逐渐在光电子学和电子学领域展现出巨大的应用潜力。其作为宽带隙半导体材料，具有高电子迁移率、高击穿电场、高热导率以及良好的化学稳定性等突出优势，这些特性使得它在高频、高功率、高温以及抗辐射等极端环境下的器件应用中具有不可替代的地位。

在现代电子技术中，器件性能的提升对于推动通信、计算机、能源等众多领域的发展至关重要。(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子气（2DEG）和二维空穴气（2DHG）作为决定器件性能的关键因素，对其深入研究具有重要的理论和实际意义。二维电子气和空穴气的特性，如浓度、迁移率、分布等，直接影响着器件的电学性能，如电流密度、跨导、截止频率、击穿电压等。通过对这些特性的研究，可以优化器件结构和性能，提高器件的工作效率和可靠性，为开发新型高性能半导体器件奠定基础。

以高电子迁移率晶体管（HEMT）为例，(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二