稀磁半导体概述
稀磁半导体是一种可以兼具半导体属性和电子自旋属性的材料,通过向半导体纳米材料里引入过渡金属元素或者稀土元素,达到在半导体系统里引入局域自旋磁矩的目的[10]。在过去几十年,很多科学家都在寻找同时具有铁磁性质和半导体性质的材料。早在1960年,研究人员就发现了在铕硫属化合物和铬尖晶石化合物[11]中半导体性质和铁磁性质的存在。然而这些材料的居里温度都大大低于室温,也就是无法实现室温铁磁性。因此,研究的主流转向了往半导体中少量地掺入一些磁性的离子,使得半导体带有磁性,为实现室温铁磁性创造条件,稀磁半导体的概念就应运而生了[12]。最早期的稀磁半导体的居里温度非常的低,导致了很难实现
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