第四章MOSFET及其放大电路.pptVIP

图4.24直流负载线、临界点和静态工作点第63页，共123页，星期日，2025年，2月5日小信号等效电路第64页，共123页，星期日，2025年，2月5日输出电压又因此小信号电压增益为输入电阻输出电阻第65页，共123页，星期日，2025年，2月5日[例4.10]目的：确定共源极放大器的小信号电压增益和输入、输出电阻。电路如图4.22所示。已知VDD=10V，R1=70.9kΩ，R2=29.1kΩ，RD=5kΩ。场效应管参数VTN=1.5V，Kn=0.5mA/V2，λ=0.01V-1。设Rg=4kΩ。求Av=vo/vi，Ri和Ro第66页，共123页，星期日，2025年，2月5日解：①直流计算②小信号电压增益、输入电阻和输出电阻的计算因为所以场效应管工作在放大区。第67页，共123页，星期日，2025年，2月5日说明：该例的结果表明，工作点位于直流负载线的中心（VDSQ=VDD/2=10/2=5V），但不是放大区的中心（VDS=VDS(sat)+(VDD-VDS(sat))/2=1.41+(10-1.41)/2=6.61V）。所以该电路在此情况下不能获得最大不失真电压。第68页，共123页，星期日，2025年，2月5日讨论：由于不为零，所以放大器输入信号只占信号源电压的83.7％,这也被称为负载效应。尽管从栅极看入的场效应管输入电阻几乎为无穷大，但偏置电阻仍极大地影响了放大器的输入电阻和负载效应。第69页，共123页，星期日，2025年，2月5日[设计例题4.11]目的：设计MOSFET放大电路的偏置电阻，使工作点位于放大区的中心。电路如图4.25所示。场效应管的参数为VTN=1V，Kn=1mA/V2，λ=0.015V-1。设Ri=R1//R2=100kΩ,设计电路参数使IDQ=2mA，且工作点位于放大区的中心。第70页，共123页，星期日，2025年，2月5日解：负载线和所期望的工作点如图4.26所示。若工作点位于放大区的中心，则临界点处的电流必须为4mA。即4mA（下标t表示临界处的值）又∴由此可得3V或-1V（舍去）所以将工作点设置在放大区的中心，则第71页，共123页，星期日，2025年，2月5日由此可知，最大输出电压的峰—峰值为下面求电阻和的值。由第72页，共123页，星期日，2025年，2月5日可得2.41V或-0.41V（舍去）又由此可得498kΩ,125kΩ下面计算放大器的小信号增益.第73页，共123页，星期日，2025年，2月5日k////说明:本例中没有考虑负载电容。如果考虑负载电容，则工作点应为交流负载线在放大区的中心，才能获得对称的最大不失真电压。第74页，共123页，星期日，2025年，2月5日[例4.12]目的：计算含源极电阻的共源极电路的小信号电压增益。电路如图4.26所示。场效应管参数为VTN=0.8V，Kn=1mA/V2，λ=0。求Av=vo/vi。2.含源极电阻的共源极放大器第75页，共123页，星期日，2025年，2月5日解：由直流分析可得小信号跨导为