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2025年电子信息工程师职业考试试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.关于场效应晶体管（FET）的工作区域，以下描述正确的是：

A.当栅源电压小于开启电压时，FET处于饱和区

B.当漏源电压足够大时，FET进入可变电阻区

C.N沟道增强型MOSFET的开启电压为负值

D.饱和区是FET作为放大器件的主要工作区域

2.在数字电路中，若某时序逻辑电路的状态转移仅依赖于当前输入和当前状态，则该电路属于：

A.同步时序电路

B.异步时序电路

C.组合逻辑电路

D.米利型（Mealy）电路

3.以下关于香农信道容量公式的表述，错误的是：

A.公式为C=B·log?(1+S/N)，其中B为信道带宽

B.当信噪比S/N趋近于无穷大时，信道容量趋近于B·log?(S/N)

C.增加带宽或提高信噪比均可提升信道容量

D.该公式适用于加性高斯白噪声（AWGN）信道

4.某12位逐次逼近型ADC的参考电压为3.3V，其分辨率约为：

A.0.805mV

B.1.61mV

C.3.22mV

D.6.44mV

5.关于I2C总线的工作特性，以下说法正确的是：

A.总线上所有设备共享SCL和SDA两根线，支持多主设备竞争

B.数据传输时，SCL为高电平期间SD