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机房等电位接地做法

一、设计依据与系统组成

1.1核心规范要求

标准

接地电阻要求

响应时间

适用场景

GB50174-2025

A级≤1Ω,B级≤4Ω

≤100ms

数据中心机房

TIA-942-B

≤1Ω

≤50ms

国际认证机房

GB50057-2010

共用接地≤1Ω

-

防雷接地系统

1.2等电位系统构成

?总等电位:接地体+接地干线+等电位端子箱,位于机房进线处。

?局部等电位:设备机柜、UPS、精密空调等金属外壳连接。

?辅助等电位:静电地板支架、金属门窗、管线桥架连接。

二、材料选择与参数

2.1接地体与降阻材料

材料

规格

用量

技术要求

镀锌角钢

50×5×6000mm

8根/100m2

尖端削尖,热镀锌层≥85μm

镀锌扁钢

40×4mm

3m/个接地极

弯曲半径≥200mm

降阻剂

膨润土基

20kg/个接地极

电阻率≤5Ω·m,pH值6-8

紫铜带

60×6mm

环形一周

导电率≥98%IACS

2.2连接材料

?铜缆:多股铜芯,25mm2(设备接地)、16mm2(静电地板)。

?端子箱:300×200×100mm铜质端子箱,内置10个接线端子(含绝缘隔板)。

?防腐材料:环氧富锌底漆(干膜厚度60μm)+玻璃丝布+沥青漆(干膜厚度120μm)。

三、分步施工工艺

3.1接地网施工(关键步骤)

步骤1:沟槽开挖与处理

1.用全站仪定位,开挖0.5m宽、0.8m深沟槽,底部铺设100mm厚细土(去除石块)。

2.水平接地体用支架固定在沟槽中心,距底部300mm。

步骤2:焊接与防腐

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A[接地体焊接]--B[焊点清理]

B--C[涂刷底漆]

C--D[缠绕玻璃丝布]

D--E[涂刷沥青漆]

焊接要求:采用搭接焊,搭接长度≥100mm,焊缝高度≥6mm。

3.2等电位连接

设备接地

1.机柜底部安装接地铜排(30×3mm),用25mm2铜缆与端子箱连接。

2.螺栓连接时加防松垫片,扭矩值35N·m(用扭矩扳手检测)。

静电地板接地

?支架用16mm2铜缆串联,每隔6m与接地干线连接,形成3m×3m网格。

?地板接缝处用铜箔粘贴(宽度50mm),电阻≤0.1Ω(用万用表测量)。

3.3接地电阻测试

1.四极法测试:电流极距接地网20m,电压极距接地网10m,打入深度0.5m。

2.数据修正:测试值=仪表读数-测试线电阻(通常0.2Ω左右)。

四、质量验收与维护

4.1验收标准

?外观:接地体无弯曲,焊接处无虚焊,防腐层无破损。

?导通测试:任意两点间电阻≤0.5Ω(用导通测试仪)。

?跨步电压:模拟故障时测量,距接地体2m处电压≤10V。

4.2维护计划

周期

内容

工具

季度

接地端子紧固

扭矩扳手

半年

接地电阻测试

四极接地电阻仪

年度

防腐层检查

测厚仪

五、故障处理与案例分析

5.1常见故障处理

故障

原因

解决方案

接地电阻超标

土壤电阻率高

增加接地极+换填降阻剂

连接发热

螺栓松动

重新紧固,涂抹导电膏

电位差过大

接地不均

增设局部等电位端子箱

5.2工程案例

深圳某云计算数据中心:

?初始接地电阻5Ω,通过以下措施降至0.8Ω:

1.增加6根垂直接地极(间距5m)。

2.换填降阻剂(用量120kg)。

3.水平接地体改为60×6mm紫铜带。

?验收测试:跨步电压8V,连接电阻0.02Ω,符合TIA-942-B标准。

附录:施工安全注意事项

1.焊接时配备灭火器,沟槽周围设警示带(夜间红灯)。

2.进入受限空间前检测氧气含量≥19.5%,可燃气体≤0.5%LEL。

3.雷雨天气禁止接地电阻测试,测试设备需可靠接地。

第六章系统设计计算

6.1接地网热稳定校验

公式与参数

?热稳定校验公式:S≥I√t/C

其中I=50kA(短路电流),t=1s(持续时间),C=137(铜材系数)

?计算结果:S=50×√1/137≈0.36mm2

?实际选型:60×6mm紫铜带(截面积360mm2),安全系数900倍

校验案例

某数据中心短路电流30kA,持续0.5s:

S=30×√0.5/137≈0.15mm2,选用40×4mm紫铜带(160mm2)满足要求

6.2跨步电压计算

简化公式

U=ρI/(2πa)ln(b/r)

?ρ:土壤电阻率(100Ω·m)

?I:故障电流(50kA)

?a:测试点距离(2m)

?b:接地体埋深(0.8m)

?r:接地体半径(0.02m)

计算过程

U=100×50000/(2×3.14×2)×ln(0.8/0.02)≈8.5V<10V(安全值)

第七章国际标准对比

7.1TIA-942-B与国标差异

项目

TIA

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