第六章JFET的性质.pptVIP

6.2JFET的直流特性与低频小信号参数7.关于沟道夹断和速度饱和的讨论由此可得如下结论：不论长沟道还是短沟道器件，在电流饱和区沟道中的载流子都达到了饱和漂移速度，其差别在于：前者是首先达到中性沟道夹断尔后达到载流子速度饱和；而后者则在中性沟道夹断之前载流子已达速度饱和。从本质上讲，二者没有区别，只是沟道长/深比不同造成的沟道中电场强度不同所致。第62页，共98页，星期日，2025年，2月5日6.2JFET的直流特性与低频小信号参数7.关于沟道夹断和速度饱和的讨论第63页，共98页，星期日，2025年，2月5日6.2JFET的直流特性与低频小信号参数7.关于沟道夹断和速度饱和的讨论第64页，共98页，星期日，2025年，2月5日6.2JFET的直流特性与低频小信号参数8.串联电阻的影响SGDP+ABRSRDP+ngD-1在前面推导JFET电流-电压关系时，曾忽略了源接触电极与沟道源端之间、漏接触电极与沟道漏端之间的电压降(假设1)。然而，上述部位实际存在着串联电阻RS和RD，其影响是不可忽略的。VGS0第65页，共98页，星期日，2025年，2月5日6.2JFET的直流特性与低频小信号参数8.串联电阻的影响随着RD增加，漏极电流进入饱和的速率减慢，VDsat增大,但不影响IDsat，即对小信号放大能力影响不大。这将使FET的功率性能和开关性能变坏(动态范围减小，内部功耗增大，导通电阻变大)。I’D/IDSS图中VGS0VGS=0第66页，共98页，星期日，2025年，2月5日6.2JFET的直流特性与低频小信号参数8.串联电阻的影响I’D/IDSSRs的影响要比RD严重得多。除漏极电流进入饱和的速率减慢，还影响饱和电流IDsat的数值。第67页，共98页，星期日，2025年，2月5日6.2JFET的直流特性与低频小信号参数8.串联电阻的影响SVGS=0第68页，共98页，星期日，2025年，2月5日6.2JFET的直流特性与低频小信号参数8.串联电阻的影响表观沟道电导减小可见，RS的存在使表观跨导小于本征跨导，其影响程度决定于乘积RSgm。跨导越高(VGS越小)影响越大。第69页，共98页，星期日，2025年，2月5日6.2JFET的直流特性与低频小信号参数2.JFET的直流参数最小沟道电阻RminRmin表示VGS＝0、且VDS足够小，即器件工作在线性区时,漏源之间的沟道电阻，也称为导通电阻。对于耗尽型器件，此时沟道电阻最小，因而称其为最小沟道电阻。由于存在着沟道体电阻，漏电流将在沟道电阻上产生压降。漏极电流在Rmin产生的压降称为导通沟道压降。Rmin越大，此导通压降越大，器件的耗散功率也越大。实际的JFET沟道导通电阻还应包括源、漏区及其欧姆接触电极所产生的串联电阻RS和RD。它们的存在也将增大器件的耗散功率，所以在功率JFET中应设法减小Rmin、RS和RD以改善器件的功率特性。第30页，共98页，星期日，2025年，2月5日6.2JFET的直流特性与低频小信号参数2.JFET的直流参数栅源截止电流IGSS和栅源输入电阻RGS栅极截止电流是pn结(或肖特基结)的反向饱和电流、反向产生电流和表面漏电流的总和。在平面型JFET，一般表面漏电流较小，截止电流主要由反向饱和电流与反向产生电流构成。此时栅-沟道结中的电流可统—表示为：输入电阻结型场效应晶体管有较高的输入电阻，且该电阻与温度、反向偏压及辐照等因素有关。第31页，共98页，星期日，2025年，2月5日6.2JFET的直流特性与低频小信号参数2.JFET的直流参数在功率器件中，由于漏源电压很高，在沟道中形成的强电场将有可能使漂移通过沟道的载流子获得足够高的能量去碰撞电离产生新的电子-空穴对，新产生的电子继续流向漏极，使漏极电流倍增，而空穴则被负偏置的栅电极所收集，使栅极电流很快增长。因而，在高漏源偏置的功率JFET中，往往存在着超量栅极电流。在短沟道器件中，由于沟道电场强，更容易出现载流子倍增效应。第32页，共98页，星期日，2025年，2月5日6.2JFET的直流特性与低频小信号参数2.JFET的直流参数栅源击穿电压BVGS表示栅源之间所能承受的栅p-n结最大反向电压。VDS=0时，此电压决定于n型沟道区杂质浓度。当VDS0时，漏端n区电位的升高使该处p-n结实际承受的反向电压增大，所以实测的BVGS值还与VDS有关。漏源击穿电压BV