原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
碳化硅项目可行性研究报告-第三代半导体，物理性能优势明显
碳化硅被誉为第三代半导体，具有耐高温、耐高压、体积小、拥
有更高热导率的性能优势。第一代半导体材料以硅和锗为元素半导体
为代表，具有低压、低频、低功率的光电性能，可以用来生产传统的
CPU、GPU、MCU等等，90%以上的半导体产品都是用硅基材料制作的；
第二代半导体材料一般是磷化铟、砷化镓，砷化镓材料的电子迁移率
约是硅的6倍，具有直接带隙，因此更具有高频、高速的光电性能，
主要用来生产射频器件、光模块、LED、激光器、探测器、传感器等
微电子和光电子器件，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬
底材料。第三代半导体是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体
材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具
有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，
因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度
下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外还能以较少的电能消
耗，获得更高的运行能力。
1、碳化硅产业链包括上游衬底和外延、中游器件、下游应用
以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、
外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。从工艺流程上看，碳化
硅一般是先被制作成晶锭，然后经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬
底；衬底上生长单晶外延材料。外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、
沉积等步骤制造成碳化硅功率器件和碳化硅射频器件。将晶圆切割成
die，经过封装得到器件，器件组合在一起放入特殊外壳中组装成模
组。
碳化硅产业链
碳化硅产业链附加值向上游集中，衬底和外延的成本占比最高。
根据CASA整理的数据，产业链中，碳化硅衬底和外延的成本分别占
整个器件成本的47%和23%，为产业链中价值量最大的两个环节，相
比硅基器件、价值量显著倒挂。
SiC功率器件成本构成Si功率器件成本构成
衬底和外延是产业链价值量最大的两个环节
文档评论（0）