真空蒸发镀膜法.pptVIP

1．瞬时蒸发法*第56页，共89页，星期日，2025年，2月5日又称“闪烁”法。它是将细小的颗粒，逐次送到非常炽热的蒸发器或坩埚中，使一个一个的颗粒实现瞬间完全蒸发。如果颗粒尺寸很小，几乎能对任何成分进行同时蒸发，故瞬时蒸发法常用于合金中元素的蒸发速率相差很大的场合。优点：能获得成分均匀的薄膜，可以进行掺杂蒸发等。缺点：是蒸发速率难于控制，且蒸发速率不能太快。*第57页，共89页，星期日，2025年，2月5日2．多源蒸发法*第58页，共89页，星期日，2025年，2月5日将要形成合金的每一个成分，分别装入各自的蒸发源中，然后独立地控制各个蒸发源的蒸发速率，使到达基板的各种原子与所需合金薄膜的组成相对应。为使薄膜厚度分布均匀，基板常需要进行转动。二．化合物的蒸发化合物的蒸发法有三种：（1）电阻加热法；（2）反应蒸发法；（3）双源或多源蒸发法—三温度法和分子束外延法。反应蒸发法主要用于制备高熔点的绝缘介质薄膜，如氧化物、氮化硅和硅化物等。而三温度法和分子外延法主要用于制作单晶半导体化合物薄膜，特别是III-V族化合物半导体薄膜、超晶格薄膜以及各种单晶外延薄膜等。*第59页，共89页，星期日，2025年，2月5日1．反应蒸发法将活性气体导入真空室，使活性气体的原子、分子和从蒸发源逸出的蒸发金属原子、低价化合物分子在基板表面淀积过程中发生反应，从而形成所需高价化合物薄膜的方法。不仅用于热分解严重，而且用于因饱和蒸气压较低而难以采用电阻加热蒸发的材料。经常被用来制作高熔点的化合物薄膜，特别是适合制作过渡金属与易分解吸收的O2、N2等反应气体所组成的化合物薄膜。在反应蒸发中，蒸发原子或低价化合物分子与活性气体发生反应的地方有三种可能，即蒸发源表面、蒸发源到基板的空间和基板表面。*第60页，共89页，星期日，2025年，2月5日*第61页，共89页，星期日，2025年，2月5日*第62页，共89页，星期日，2025年，2月5日2．三温度法从原理上讲，就是双蒸发源蒸发法。把III-V族化合物半导体材料置于坩埚内加热蒸发时，温度在沸点以上，半导体材料就会发生热分解，分溜出组分元素，淀积在基板上的膜层会偏离化合物的化学计量比。这种方法是分别控制低蒸气压元素（III）的蒸发源温度TM、高蒸气压元素（V）的蒸发源温度TV和基板温度TS，一共三个温度，这就是所谓的三温度法名称的由来。3．分子束外延镀膜法（MBE）外延是一种制备单晶薄膜的新技术，它是在适当的衬底与合适条件下，沿衬底材料晶轴方向生长一层结晶结构完整的新单晶薄膜的方法.新生单晶层叫做外延层。典型的外延方法有液相外延法、气相外延法和分子束外延法。*第63页，共89页，星期日，2025年，2月5日立体角的定义

将弧度表示平面角度大小的定义（弧长除以半径）推广到三维空间中，定义“立体角”为：球面面积与半径平方的比值。即：Ω=A/r2

第24页，共89页，星期日，2025年，2月5日二．小平面蒸发源*第25页，共89页，星期日，2025年，2月5日如图2-5所示，用小型平面蒸发源代替点源。由于这种蒸发源的发射特性具有方向性，使在θ角方向蒸发的材料质量和cosθ成正比例，即遵从所谓余弦角度分布规律(1-23式)。余弦散射律碰撞于固体表面的分子，它们飞离表面的方向与原入射方向无关，并按与表面法线方向所成角度θ的余弦进行分布。则一个分子在离开其表面时，处于立体角dω（与表面法线成θ角）中的几率为dp=dωcosθ/π（1-23）式中1/π是由于归一化条件，即位于2π立体角中的几率为1而出现的。*第26页，共89页，星期日，2025年，2月5日θ是平面蒸发源法线与接收平面dS2中心和平面源中心连线之间的夹角。则膜材从小型平面dS上以每秒m克的速率进行蒸发时，膜材在单位时间内通过与该小平面的法线成θ角度方向的立体角dω的蒸发量dm为（2-29）式中，1/π是因为小平面源的蒸发范围局限在半球形空间。如果蒸发材料到达与蒸发方向成θ角的小平面dS2几何面积已知，则淀积在该小平面薄膜的蒸发速率即可求出第27页，共89页，星期日，2025年，2月5日前已有dS1=dS2·cosθ(β)，dS1