微电子工艺课件第八章.pptVIP

焦深：焦点深度，当焦点对准某一物体时，不仅位于该点平面上的各点都可以看清楚，而且在此平面的上下一定厚度内，也能看得清楚，这个清楚部分的厚度就是焦深。焦深大,可以看到物体的全层，焦深小，则只能看到物体的一薄层，焦深与其它技术参数有以下关系：1．焦深与物镜的数值孔镜成反比，2．焦深大，分辨率降低。离轴照明条件下，参与成像的0级与-1级衍射光的夹角小于传统照明条件下成像的±1级衍射光之间的夹角。因此，要实现相同的光刻分辨率，离轴照明需要较小的NA。由上式可知，与传统照明相比，离轴照明提高了焦深。离轴照明增大焦深*第62页，共111页，星期日，2025年，2月5日8.6.8扩大调焦范围曝光扩大调焦范围曝光(FLEX,FocusLatitudeEnhancementExposure)，主要适用于曝光接触孔或通孔时扩展焦深，同时也可以用于曝光硅片表面不平坦引起表面随机变化的区域。FLEX也称为焦点钻孔技术。在这种方法中，曝光视场中存在有两个焦点，一个位于光刻胶膜的中点，另一个接近光刻胶膜的顶部表面。因此，每个接触孔的图像包括两个叠置的图像，一个在焦点上，一个在焦点外。焦点外的图像可以在一个宽敞的区域上伸展，其只对焦点上的图像产生模糊的背景效果。*第63页，共111页，星期日，2025年，2月5日8.6.9化学增强的深紫外光刻胶对于0.35μm以下的工艺，需要采用深紫外光源，由于树脂和DNQ对紫外光的250nm波长都存在强吸收，在DUV区不能很好地使用，这就需要使用化学增强(CA)的光刻胶材料。在曝光过程中，CA胶吸收光子使光敏酸(PAG)分解，形成少量的酸。这些酸在坚膜过程中，会诱发一系列的化学转化，增强光刻胶在显影液中的可溶性。由于此后的反应是催化反应，在每次化学反应中都会生成酸，可以持续地参加反应。CA光刻胶的优点：相对较高的光敏度；相比于DNQ/树脂光刻胶，CA胶的对比度也较高。*第64页，共111页，星期日，2025年，2月5日对于0.35μm的工艺，通常会使用混合的光学曝光技术，包括使用i线和248nm的DUV曝光(后者使用单层的CA光刻胶)。当器件尺寸达到0.25μm时，就需要完成由i线到248nm深紫外光源的过渡。通过采用相转移技术和多层光刻胶技术，248nm的光刻将会广泛应用到小尺寸器件的制备中去。下一代193nm的光刻所需要的光刻胶，将依然依赖于CA胶。CA胶的主要问题是胶的成份，由于受气体和衬底的影响使光刻胶污染，对曝光后的后烘条件的敏感度以及在干法刻蚀中抗腐蚀能力降低。*第65页，共111页，星期日，2025年，2月5日制作一个完整的ULSI芯片需要20-25块不同图形的掩膜版。传统光刻掩膜版是在石英板上淀积一层铬，用电子束或激光束将图形直接刻在铬层上，形成1X或4X、5X的掩膜版。8.7掩模板的制造石英玻璃的热扩散系数小(5×10-7cm/cm℃)，使石英玻璃板在掩模版刻写过程中受温度变化的影响较小。石英玻璃对248nm和193nm波长的通透效果是最好的。8.7.1石英玻璃板*第66页，共111页，星期日，2025年，2月5日8.7.2铬层在石英玻璃片上淀积一层铬(Cr)，掩膜图形最终就是在铬膜上形成的。选择铬膜是因为铬膜的淀积和刻蚀都比较容易，而且对光线完全不透明。在铬膜的下方还要有一层由铬的氮化物或氧化物形成的薄膜，增加铬膜与石英玻璃之间黏附力。在铬膜的上方需要有一层的20nm厚的Cr2O3抗反射层。这些薄膜都是通过溅射法制备的。使用溅射方法的优点在于淀积的薄膜黏附力好，而且薄膜的厚度均匀性比较好。*第67页，共111页，星期日，2025年，2月5日8.7.3掩模板的保护层为了防止在掩模版上形成缺陷，需要用保护膜将掩模版的表面密封起来，这样就可以避免掩模版遭到空气中微粒以及其他形式的污染。保护膜的厚度需要足够薄，以保证透光性，同时又要耐清洗，还要求保护膜长时间暴露在UV射线的辐照下，仍然能保持它的形状。目前所使用的材料包括硝化纤维素醋酸盐和碳氟化合物，形成的保护薄膜厚度为l～2μm。有保护膜的掩模版可以用去离子水清洗，这样可以去掉保护膜上大多数的微粒，然后再通过弱表面活性剂和手工擦洗，就可以完成对掩模版的清洁。*第68页，共111页，星期日，2025年，2月5日8.7.4移相掩模（PSM）当图形尺寸缩小到深亚微米，通常需要使用移相掩膜(Phase-ShiftMask)技术。移相掩膜