双频容性耦合等离子体刻蚀工艺的物理基础.pptVIP

内容

一、等离子体刻蚀技术的发展趋势及存在的问题

二、几种有代表性的等离子体源

三、描述物理过程的解析模型

四、描述物理过程的混合模型

五、直流偏压效应

六、有关实验工作进展;一、等离子体刻蚀技术的发展趋势及问题

低温等离子体刻蚀技术在微纳制造工艺中得到广泛地应

用，如超大规模集成电路、微机械系统、微光学系统的制

备。;;?均匀性

刻蚀的均匀性包含两层意思：

）宏观的不均匀性：在晶片的径向上造成的刻蚀率和刻蚀剖面的不均匀性。

）微观不均匀性：在每个微槽的底部和侧面造成的刻蚀不均匀性。;为了适应纳电子器件的制备工艺，必须要：

）提出大面积、高密度、均匀等离子体的新方法；

）提出优化刻蚀工艺的新方法。;、平板式是射频容性耦合等离子体()源;根据熟知的定标关系可知：等离子体密度正比于驱动电源频率的平方和施加的偏压，即

当电源频率一定时,要提高等离子体密度，唯一的途径是增加施加偏压。但增加施加的射频偏压时，轰击到晶片上的离子能量也随着增加。太高的离子能量，将对晶片造成不必要的介质损伤。

早期使用的都是单一频率射频电源（)驱动放电的源，很难实现对等离子体密度（正比于刻蚀率）和入射到晶片上离子的能量分布的独立控制。;、微波电子回旋共振()偏压等离子体刻蚀源;;、射频感应耦合等离子体()偏压刻蚀源;;感应耦合等离子体()源的特点;、双频电容耦合等离子体（)源;目前一些半导体设备制造公司已经研制出或正在研制这种等离子体刻蚀设备，如：

）美国的（泛林）公司

)美国公司

)日本

)中微(上海)半导体设备制造有限公司();;目前对这种双频放电的物理过程和相应的刻蚀机理，仍有很多问题需要研究,如：

）两个电源的频率匹配问题，

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）两个电源的施加方式，

施加在同一个电极，还是分别在两个电极？

）高频电源的频率到达多高为好？

驻波效应？如何匹配电源的频率和腔室的半径？;:

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?;驻??效应：

在超高频情况下，电磁波的波长可以与放电装置的反应腔室（或电极半径）相当，从而可以在等离子体腔室内部激发一个径向传播的电磁波，即驻波，引起等离子体密度径向不均匀性。这对芯片刻蚀的均匀性影响很大。;;尽管一些厂家研制的这种刻蚀机已在线生产，但对于这种相关的基础研究开展的不多：

?为数不多的理论研究和计算机模拟工作；

?相关的实验研究工作很少（年）。

原因：

）在线使用的刻蚀机是一个“黑匣子”，没有留任何窗口对其中的等离子体进行诊断。

）在超高频或双频放电情况下，诊断难度很大，对现有的探针诊断技术是一个挑战。;三、描述物理过程的解析模型;高频电源快速振荡

低频电源振荡的轮廓线;等离子体密度;，,,;，,,,;四、描述物理过程的混合模型;;;();;;;,,,

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,,,;():;,,,,;;五、直流偏压效应;;;;;;;;;

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;六、有关实验研究工作进展;质谱仪;装置;、苏州大学

放电装置及诊断系统的研制

高频：

低频：、

完成人：辛煜、宁兆元等

目前已开展双频条件下的实验诊断研究，如测量

双频条件下的等离子体密度、电子能量分布的测

量。;;:;;条件下的电子密度;下一步工作计划是：

）系统研究双频条件下的等离子体状态参数的量,主

要是观察双频的调制效应；

）研究反应性气体或混合气体(如)的在双频条

件下的放电行为；

）低频调制下离子入射到基片上的能量分布。

）合作开展数值模拟与实验测试比较的研究工作。;