1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 电子工程/通信技术
  5. 电子电气自动化

CN115810696B 基于硅基缓冲层的发光二极管外延片及其制备方法（江西兆驰半导体有限公司）.docxVIP

CN115810696B 基于硅基缓冲层的发光二极管外延片及其制备方法（江西兆驰半导体有限公司）.docx

    1. 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
    2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
    3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    4. 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
    5. 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
    6. 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
    7. 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
    查看更多

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN115810696B(45)授权公告日2025.06.27

    (21)申请号202211547627.X

    (22)申请日2022.11.30

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115810696A

    (43)申请公布日2023.03.17

    (73)专利权人江西兆驰半导体有限公司

    地址330000江西省南昌市南昌高新技术

    产业开发区天祥北大道1717号

    (72)发明人程龙郑文杰高虹刘春杨胡加辉金从龙

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    aabbcc + 关注
    实名认证
    文档贡献者

    若下载文档格式有问题，请咨询qq1643702686索取原版

    咨询Ta 进入空间

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >