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- 2025-09-03 发布于四川
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4.1BJT
4.2基本共射极放大电路
4.3放大电路的分析方法
4.4放大电路静态工作点的稳定问题
4.5共集电极放大电路和共基极放大电路
4双极结型三极管及其放大电路基础
01
4.1.1BJT的结构简介
02
4.1.2放大状态下BJT的工作原理
03
4.1.3BJT的V-I特性曲线
04
BJT的主要参数
05
4.1.5温度对BJT参数及特性的影响
4.1BJT
BJT的结构简介
三极管(BipolarJunctionTransistor)图片
BJT的结构简介
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
NPN型
P
N
P
集电极
基极
发射极
B
C
E
PNP型
BJT的结构简介
B
E
C
NPN型三极管
B
E
C
PNP型三极管
三极管符号
N
P
N
C
B
E
P
N
P
C
B
E
BJT的结构简介
发射结
集电结
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
++++++++++
__________
__________
++++++++++
BJT的结构简介
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
基区(base):较薄,掺杂浓度低
集电区(collector):面积较大
发射区(emitter):掺
杂浓度较高
集电结外加反压
发射结外加正压
B
E
C
N
N
P
VBB
RB
VCC
IE
由于基区掺杂浓度很低,基区空穴向发射区的扩散电流可忽略。
IBN
进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBN,多数扩散到集电结。
发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。
§4.1.2放大状态下BJT的工作原理
BJT起放大作用的条件:内部条件和外部条件
1.BJT内部载流子的传输过程
B
E
C
N
N
P
VBB
RB
VCC
IE
集电结反偏,有少子形成反向电流ICBO。
ICBO
IC=ICN+ICBOICN
IBN
ICN
从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,形成ICN。
§4.1.2放大状态下BJT的工作原理
IB=IBN-ICBOIBN
IB
B
E
C
N
N
P
VBB
RB
VCC
IE
ICBO
ICN
IC=ICN+ICBOICN
IBN
反向饱和电流ICBO,这个电流对放大没有贡献
动画演示
§4.1.2放大状态下BJT的工作原理
4.1.2放大状态下BJT的工作原理
BJT的三种连接方式
共集电极接法:集电极作为公共电极,用CC表示
共基极接法:基极作为公共电极,用CB表示
共发射极接法:发射极作为公共电极,用CE表示
§4.1.2放大状态下BJT的工作原理
IC与IB之比称为共射极直流电流放大倍数:
对于正向偏置的发射结:
集电结收集的电子流是发射结的总电子流的一部分:
共基极直流电流放大倍数一般在0.98以上,共射极直流电流放大倍数一般为10~100
2.BJT的电流分配关系
§4.1.2放大状态下BJT的工作原理
3.BJT在电压放大电路中的应用举例
RL
e
c
b
1k
VEE
VCC
VEB
IB
IE
IC
+
-
vI
+vEB
vO
+
-
+iC
+iE
+iB
若vI=20mV,
电压放大倍数
使iE=-1mA,
则iC=iE=-0.98mA,
当=0.98时,
§4.1.3BJT的特性曲线
1.共射极连接时的V-I特性曲线
mA
A
V
V
vCE
vBE
RB
iB
VCC
VBB
共射极接法的实验线路
ic
vCE1V
iB(A)
vBE(V)
20
40
60
80
工作压降:硅管vBE0.6~0.7V,锗管vBE0.2~0.3V。一般用这一条曲线。
vCE=0V
vCE=0.5V
死区电压,硅管0.6V,锗管0.2V。
(1)输入特性(inputcharacteristic)
§4.1.3BJT的特性曲线
§4.1.3BJT的特性曲线
IC(mA)
1
2
3
4
VCE(V)
3
6
9
12
40A
60A
Q
Q’
=IC/IB=2mA/40A=50
=IC/IB
=(3-2)mA/(60-40)A=50
=IC/IB=3mA/60A=50
(2)输出特性(outputcharacteristic)
输出特性(outputcharacteristic)
基区宽度调制效应
对共射极电路有:
vBE不变,vCE→vCB反压→集
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