模拟电子线路32结型场效应管.pptxVIP

3.2结型场效应管JFET结构示意图及电路符号SGDSGDP+P+NGSDN沟道JFETP沟道JFETN+N+PGSD

N沟道JFET管外部工作条件VDS0(保证栅漏PN结反偏)VGS0(保证栅源PN结反偏)3.2.1JFET管工作原理P+P+NGSD+VGSVDS+-

VGS对沟道宽度的影响|VGS|?阻挡层宽度?若|VGS|继续?沟道全夹断使VGS=VGS(off)夹断电压若VDS=0NGSD+VGSP+P+N型沟道宽度?沟道电阻Ron?

VDS很小时→VGD?VGS由图VGD=VGS-VDS因此VDS?→ID线性?若VDS?→则VGD?→近漏端沟道?→Ron增大。此时Ron?→ID?变慢VDS对沟道的控制（假设VGS一定）NGSD+VGSP+P+VDS+-此时W近似不变即Ron不变

当VDS增加到使VGD?=VGS(off)时→A点出现预夹断若VDS继续?→A点下移→出现夹断区此时VAS=VAG+VGS=-VGS(off)+VGS（恒定）若忽略沟道长度调制效应，则近似认为l不变（即Ron不变）。因此预夹断后：VDS?→ID基本维持不变。NGSD+VGSP+P+VDS+-ANGSD+VGSP+P+VDS+-A

21利用半导体内的电场效应，通过栅源电压VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流ID。综上所述，JFET与MOSFET工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。JFET工作原理：3

NJFET输出特性非饱和区(可变电阻区)特点：ID同时受VGS与VDS的控制。条件：VGSVGS(off)VDSVGS–VGS(off)3.2.2伏安特性曲线线性电阻:ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(off)VGS=0V-2V-1.5V-1V-0.5V

饱和区(放大区)特点：ID只受VGS控制，而与VDS近似无关。ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(off)VGS=0V-2V-1.5V-1V-0.5V数学模型：条件：VGSVGS(off)VDSVGS–VGS(off)在饱和区，JFET的ID与VGS之间也满足平方律关系，但由于JFET与MOS管结构不同，故方程不同。

截止区特点：沟道全夹断的工作区条件：VGSVGS(off)IG≈0，ID=0击穿区VDS增大到一定值时?近漏极PN结雪崩击穿ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(off)VGS=0V-2V-1.5V-1V-0.5V?造成ID剧增。VGS越负?则VGD越负?相应击穿电压V(BR)DS越小

JFET转移特性曲线同MOS管一样，JFET的转移特性也可由输出特性转换得到(略)。ID=0时对应的VGS值?夹断电压VGS（off）。VGS(off)ID/mAVGS/V0IDSS(N沟道JFET)ID/mAVGS/V0IDSSVGS(off)(P沟道JFET)VGS=0时对应的ID值?饱和漏电流IDSS。

JFET电路模型JFET电路模型同MOS管相同。只是由于两种管子在饱和区数学模型不同，因此，跨导计算公式不同。VGSSDGIDIG?0ID(VGS)+-gmvgsrdsgdsidvgs-vds++-SIDGD（共源极）（直流电路模型）（小信号模型）利用得

各类FET管VDS、VGS极性比较VDS极性与ID流向仅取决于沟道类型VGS极性取决于工作方式及沟道类型由于FET类型较多，单独记忆较困难，现将各类FET管VDS、VGS极性及ID流向归纳如下：N沟道FET：VDS0，ID流入管子漏极。P沟道FET：VDS0，ID自管子漏极流出。JFET管：VGS与VDS极性相反。增强型：VGS与VDS极性相同。耗尽型：VGS取值任意。MOSFET管

场效应管与三极管性能比较项目?器件电极名称工作区导电类型输入电阻跨导三极管e极b极c极放大区饱和区双极型小大场效应管s极g极d极饱和区非饱和区单极型大小