原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
第59卷第7期电力电子技术Vol.59，No.7
2025年7月PowerElectronicsJuly2025
基于SiCbare-die的Buck变换器设计与性能分析
1123
付永升，田坤，张珂，高岗耀
（1.西安工业大学，电子信息工程学院，陕西西安710021；
2.中国兵器工业集团第二一二研究所，陕西西安710065；
3.陕西华星电子集团有限公司，陕西咸阳712000）
摘要：以碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）为代表的第三代半导体开关器件，基于高工
作频率和低功率损耗等优势已被广泛应用在交通、能源等多个领域。但常用TO-247封装结构由于体积、寄
生参数和系统热阻大的原因，SiC-MOSFET的高频、高温特性优势在实际工程应用中被严重限制。针对该问
题，本文重点研究了具有更小尺寸bare-die封装的SiC-MOSFET，构建bare-die实际工作中芯片的等效电路模型
和热阻模型，分析了bare-die构建的功率变换器驱动回路和功率回路寄生参数和热阻小的原因，阐明了基于
SiCbare-die的功率变换器的优势。同时本文分别采用TO-247封装和bare-die封装的SiC-MOSFET构建了1kW
Buck变换器，比较了不同系统尺寸，并通过实验测试比较了不同系统传输效率，验证了bare-die在设计功率变
换器中的优势，为SiCbare-die功率变换器设计提供了技术支撑。
关键词：变换器；SiCbare-die；TO-247封装；寄生参数
中图分类号：TM46文献标识码：A文章编号：1000-100X（2025）07-0047-06
SiCbare-die-basedBuckConverterDesignandthePerformanceAnalysis
1123
FuYongsheng，TianKun，ZhangKe，GaoGangyao
（1.SchoolofElectronicInformationEngineering，Xi’anTechnologicalUniversity，Xi’an710021，China；
2.Xi’anInstituteofElectron-mechanicalInformationTechnology，Xi’an710065，China；
3.ShaanxiHuaxingElectronicsGroupCo.，Ltd.，Xianyang712000，China）
Abstract：Thethird-generationsemiconductorswitchingdevicesrepresentedbysiliconcarbidemetal-oxide-semiconductor
field-effecttransistor（SiC-MOSFET
初级会计持证人
专注于经营管理类文案的拟写、润色等，本人已有10余年相关工作经验，具有扎实的文案功底，尤善于各种框架类PPT文案，并收集有数百万份各层级、各领域规范类文件。欢迎大家咨询！
文档评论（0）