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證明：考察：(-df/dE)是（E－EF）的偶函數；(-df/dE)的值集中在?E－EF??kBT的一小範圍內，當

?E－EF?幾個kBT時，函數的值迅速趨於0，具有

類似於?函數的性質。因此，積分的貢獻主要來自E~EF附近的區域，由於EFkBT，所以，我們可以將均分的下限由0改為-∞，而並不會影響積分值。由於(-df/dE)的值集中在E=EF附近，因此，可將Q(E)在E=EF附近展開成Taylor級數。利用Taylor展開式：三、Sommerfeld展開式的應用1.EF的確定對於金屬，由於TFT，所以EF?EF0。我們可以定性地分析為什麼EF會略低於EF0。當T0時，由於TFT，所以電子的分佈函數只在費米能附近幾個kBT的範圍內有變化，而離費米能較遠處電子的分佈於T=0時相同。在有限溫度下，EF0以下能態的佔有幾率減小，而EF0以上能態的佔有幾率增大，可以認為，EF0上下電子佔有幾率的增大和減小是關於EF0對稱的。但是，由於電子的能態密度N(E)隨E的增加而增大，即EF0以上的N(E)大於以下的N(E)，因此，若EF0上、下電子能態佔有率的增加、減少相同，則EF0以上要多填一些電子。因此，若保持EF=EF0，那麼系統的電子數就要增加，但實際上系統的電子數是一定的，因此，EF必須略低於EF0。2.電子熱容量自由電子系統的總能量為這裏為T=0時自由電子系統的總能量第二項為T0時，由於熱激發自由電子系統從外界所獲得的能量。電子熱容量：若每個金屬原子貢獻Z個自由電子，那麼，一摩爾金屬的電子熱容量為：其中一些金屬的?值NaKCaZnAlSn?實驗（mJ/mol.K2）1.382.080.6950.641.351.78?理論（mJ/mol.K2）1.091.670.5050.750.911.41當T?D時，常溫下，一摩爾金屬的晶格熱容CL?3R對於金屬，由於TFT，所以CeCL。因此，在常溫下可以不必考慮電子熱容量的貢獻。當T?D時，當Ce=CL時，可求出此時的溫度實驗值對於簡單金屬，?D~102K，TF~104K，估算出TC~1K的數量級。所以，在很低溫度下，電子熱容量與晶格熱容量同數量級，這時，電子熱容量就不可忽略。3.Pauli順磁當B=0時，電子佔據自旋磁矩向上或自旋磁矩向下能態的幾率僅與該能態能量有關，若能量相等，電子的佔據幾率相等。所以，未加外磁場時，系統不顯示磁性。－?BB?BB－?B?BEB當B?0時，由於平行與反平行於外磁場的自旋磁矩的取向能分別為－?BB和＋?BB，造成能量原點的移動。自旋磁矩平行於磁場的原點在

－?BB；自旋磁矩反平行於磁場的原點在＋?BB。能量為E的能態密度：E?B?：?B?：平衡時，對於同一能量E，電子佔據自旋磁矩平行於磁場和反平行於磁場的態的幾率相等。對於一般金屬，TFT，Pauli順磁磁化率隨溫度的變化很小，通常可以認為???0，即磁化率近似與溫度無關。實驗結果表明，對於簡單金屬，如鹼金屬的順磁性幾乎與溫度無關，與理論計算的結果一致，其實驗值在數量級上也與理論值一致。?LiNaKMgCa實驗(10－6CGS)2.00.630.580.871.70理論(10－6CGS)0.80.650.530.980.89§5.3功函數和接觸電勢一、熱電子發射和功函數實驗表明，熱電子發射的電流密度為其中A為常數，W為功函數（或脫出功），即電子逸出金屬所需克服的勢壘。V0EF0xVW金屬真空Richardson－Dushman公式在金屬內部，自由電子受正離子的吸引，但由於各金屬離子的吸引力相互抵消，電子所受的淨合力為0。但如電子試圖逸出金屬，則有一部分離子的吸引力不能被抵消，這部分作用力就阻止電子逸出金屬，因而在金屬表面形成一個勢壘。實際上，能被激發而逸出金屬的電子只是在費米能附近，因此，有其中V0為真空能級，即電子跑到無窮遠處所具有的勢能，V0也可看成是勢阱的深度；W~幾個eV。熱電子發射電流密度的運算式為金屬自由電子論一、自由電子模型電子在一有限深度的方勢阱中運動，電子間的相互

作用可忽略不計；電子按能量的分佈遵從Fermi－Dirac統計；電子的填充滿足