《模拟电子技术基础》第3章 场效应管及其放大电路.pptxVIP

第3章;1.晶体管的主要特点;2.场效应管(简称FET:FieldEffectTransistor);(a)结型场效应管，简称JFET(JunctionFieldEffectTransistor)。;N沟道结型场效应管;（2）结型场效应管的结构;漏极d（drain);3.1结型场效应管;符号;2.结型场效应管的工作原理;（1）uDS=0时，uGS对沟道的控制作用;a.UGS(off)uGS0;;(a)JFET是利用uGS所产生的电场变化来改变沟道电阻的大小。。;(2)当uGS=0时，uDS对沟道的控制作用;;;c．uDS|UGS(off)|;(3)当uDS≥0时，uGS(≤0）对沟道的控制作用;3.结型场效应管的伏安特性;(1)输出特性（漏极特性）;可

变

电

阻

区;放大区;截止区;（2）转移特性;;当管子工作于恒流区时;[例]在图示电路中，已知场效应管的；问在下列三种情况下，管子分别工作在那个区？;(b)因;（1）栅极与沟道间的PN结是反向偏置，所以RGS很大。但是，当温度升高时，PN结反向电流必然增大，RGS将减小。;N沟道;结构示意图;;;（1）uGS=0,uDS≠0;;;;;P;;;;3.2绝缘栅型场效应管;(1)输出特性;1)可变电阻区;;截止区;（2）转移特性;管子工作于放大区时：;3.2绝缘栅型场效应管;;实际情况：当管子的导电沟道出现预夹断而进入放大区之后，若继续增大漏极电压uDS，夹断点会略向源极方向移动，导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，沟道电阻也就略有减小，从而使更多的电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使漏极电流iD增大，这种效应称为沟道长度调制效应。;3.2绝缘栅型场效应管;5.耗尽型MOS管;绝缘层中渗入了正离子;反型层加厚;3.2绝缘栅型场效应管;3.2绝缘栅型场效应管;3.2绝缘栅型场效应管;[例]某一耗尽型MOS管的;所以器件工作在放大区的最小漏极电压为;6.MOS场效应管使用注意事项;目前生产MOS管时，做有如图所示的过压保护电路。;1.场效应管的主要电参数;d.直流输入电阻RGS;3.3场效应管的参数与小信号模型;3.3场效应管的参数与小信号模型;b.输出电阻rds;(3)极限参数;由场效应管工作原理知;为跨导;或者;简化的微变等效电路;FET的高频模型;3.3场效应管的参数与小信号模型;3.3场效应管的参数与小信号模型;3.3场效应管的参数与小信号模型;与双极??晶体管相似，场效应管也有三种基本放大电路，它们是共源极、共漏极和共栅极放大电路，分别与双极型晶体管的共发射极、共集电极和共基极放大电路相对应。;3.4场效应管放大电路;3.4场效应管放大电路;3.4场效应管放大电路;3.4场效应管放大电路;3.4场效应管放大电路;3.4场效应管放大电路;3.4场效应管放大电路;3.4场效应管放大电路;3.4场效应管放大电路;(1)共源极放大电路;由图可知;由图可知;根据输出电阻的求法;[例]共源极放大电路如图所示。其中VDD=30V、RD=3kΩ、RS=1kΩ、RG=1MΩ，RL=5.1kΩ，FET的IDSS=7mA、UGS(off)=－8V。各电容器的电容量足够大。试求该放大电路的Au、Ri和Ro的值。;=1.13mS;3.4场效应管放大电路;(2)共漏极放大电路;由图可知;输入电阻;c.求输出电阻Ro;由图可知;【例】在图示电路中，已知电路元件参数RG=1M?、RS=RL=10k?、C1＝C2＝10μF，信号源内阻rs=50?（图中未画出），场效应管3DJ7G的gm＝3mS、Cgs＝8pF、Cgd＝3pF、Cds=1pF,rds的影响可以忽略。试求：

(a)放大电路的Au、Ri和Ro。;【解】(a);放大电路的高频区微变等效电路;分别单独考虑输入回路和输出回路时间常数时，电路的上限截止频率分别为;放大电路的上限截止频率为;(2)共漏极放大电路;(3)共栅极放大电路;微变等效电路;由图可知;故;故;1.结型场效应管;工作于可变电阻区;2)转移特性;(1)增强型MOS管;工作于可变电阻区;管子工作于放大区时函数表达式;(2)耗尽型MOS管;2)转移特性曲线;3.场效应管放大电路;b．分压式偏置电路及静态分析;FET的微变等效电路;a.电压放大倍数;(4)共漏极放大电路;(5)共栅极放大电路;[例1]在图示电路中:;