《电子技术基础》课件——第1章半导体器件.pptVIP

2、输出特性输出特性曲线50μA40μA30μA10μAIB=020μAuCE/VO24684321iC/mAmAICECIBRBEBCEB3DG6?ARCV+uCE?iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321放大区截止区饱和区ICEO（1）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置。（2）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置。（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置输出特性曲线深度饱和时：0.3V(硅管)UCE为：0.1V(锗管)1.共发射极电流放大系数iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0024684321一般为几十?几百Q2.极间反向饱和电流CB极间反向饱和电流ICBO，CE极间反向饱和电流ICEO。（1）直流电流放大系数（2）交流电流放大系数?1.4.4晶体管的主要参数3.极限参数（1）ICM—集电极最大允许电流，超过时?值明显降低。U(BR)CBO—发射极开路时C、B极间反向击穿电压。（2）PCM—集电极最大允许功率损耗（3）U(BR)CEO—基极开路时C、E极间反向击穿电压。U(BR)EBO—集电极极开路时E、B极间反向击穿电压。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作区1.4.5特殊晶体管1.光敏晶体管光敏晶体管是用入射光照度的强弱来控制集电极电流的。当无光照时，集电极电流很小称为暗电流。有光照时集电极电流称为光电流，一般为零点几毫安到几毫安。光敏晶体管作为光控元件，可与发光二极管组成光电耦合器，如图1-28a所示。输入电信号由发光二极管转换为光信号，再经光敏晶体管转换为电信号输出。由于输入和输出之间没有直接的电连接，可实现输入、输出之间的电隔离，抗干扰能力强。光电耦合器中光电元件也可用光敏二极管实现，如图1-28b所示。符号达林顿晶体管又称复合管。一般由两个晶体管组合而成，对外则等效为一个晶体管。无论由相同或不同类型的晶体管组成复合管时，首先，在前后两个晶体管的连接关系上，应保证前面晶体管的输出电流与后接晶体管的输入电流的实际方向一致，否则复合管无法工作；其次，外加电压的极性应保证前后两个晶体管均为发射结正向偏置，集电结反向偏置，使两个晶体管都工作在放大区。常用复合管的一些接法如图1-29所示。对于复合管，可以得出以下结论：1)复合管的2)复合以后等效晶体管的类型取决于第一只晶体管，与其类型相同。晶体管:有两种载流子参与导电,称为双极型三极管,它是由输入电流IB控制输出电流IC的电流型控制元件.场效应管:它是多子导电，称为单极型三极管,它是由输入电压控制输出电流的电压型控制元件.其优点是:输入阻抗高，温度稳定性好。1.5场效应晶体管结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种:N沟道P沟道耗尽型增强型耗尽型增强型1.5.1增强型绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管简称MOS场效应管。有N沟道和P沟道两种类型，分为增强型和耗尽型两种。1.N沟道增强型MOS场效应管在掺杂浓度较低的P型硅片表面覆盖SiO2绝缘层，通过扩散形成两高掺杂N区，引出源极S和漏极D，在两极之间的二氧化硅上面引出栅极G，栅极与其他电极之间是绝缘的。N沟道增强型场效应管的结构与符号1.1半导体的基础知识1.3特殊二极管1.2二极管1.4双极型三极管1.5场效应晶体管1.6半导体器件的型号和检测1.1.1半导体的主要特性1.1半导体的基础知识半导体的导电能力在不同的光照条件下有很大的差别：光照越强，等效电阻越小，导电能力越强。利用半导体的光敏性，可以制成光敏电阻、光敏二极