《电子技术基础》课件——第2章 放大电路.pptVIP

第2章放大电路图2-22阻容耦合两级放大电路2.阻容耦合缺点：1.低频特性差，不能放大变化缓慢的信号；2.不便于集成优点：各级的静态工作点相互独立，所以电路的分析、设计和调试简单易行。因此，在分立元件电路中阻容藕合方式应用非常广泛——主要用于小信号电压放大。第2章放大电路3.变压器耦合优点：1、靠磁耦合，工作点相互独立，便于分析、设计和调试。2、可以实现阻抗变换，常用于功放电路缺点：1、低频特性差，不能放大变化缓慢的信号，2、笨重，3、不能集成化。第2章放大电路阻容耦合多级放大电路的计算遵循以下规则：1)各级放大器的静态工作点相互独立，分别估算2)后一级的输入电阻是前一级的交流负载电阻，即RL(n-1)=ri(n)3)多级放大电路总的电压放大倍数=各级放大倍数的乘积，即4)多级放大电路总的输入电阻ri就等于第一级的输入电阻ri1,即ri=ri15)多级放大电路总的输出电阻ro就等于最后一级的输出电阻ro(n)即ro=ro(n)。2.5.2阻容耦合多级放大电路的计算第2章放大电路1.频率特性的概念：放大电路的放大倍数是频率的函数，这种函数关系称为放大电路的频率特性或频率响应。（2-22）式（2-22）表示电压放大倍数的幅值和相角都是频率的函数。其中||（f）称为幅频特性，∠φ（f）称为相频特性。2.5.3放大电路的频率特性第2章放大电路2.单管共射放大电路的频率特性图2-24单管共射放大电路的频率特性在放大电路的某一段频率范围内，电压放大倍数的幅值基本不变，相角大致等于180°，通常将该段的电压放大倍数称为中频电压放大倍数Aum。当频率降低或升高时，电压放大倍数的幅值都将减小，同时产生超前或滞后的附加相位移。当电压放大倍数下降到0.707Aum时相应的低频频率和高频频率称为放大电路的下限频率fL和上限频率fH，二者之间的频率范围称为通频带BW。通频带的宽度表明了放大电路对不同频率输入信号的响应能力，是放大电路的指标之一。通常希望通频带宽一些，以减小频率失真。在中频区，耦合电容和射极旁路电容的容抗很小，可视为短路，晶体管的极间电容和电路的分布电容容抗很大，对信号的分流可忽略不计，故放大电路的放大倍数基本不变，并且也不产生附加相移。在低频区，耦合电容容抗增大，输入信号通过时被明显衰减，射极旁路电容容抗增大，其上交流电压降不能忽略，这些都使放大倍数降低，同时产生超前的附加相移。在高频区，晶体管的极间电容和电路的分布电容容抗减小，对信号的分流作用增大，并且晶体管的电流放大系数下降，从而使放大倍数降低，同时产生滞后的附加相移。第2章放大电路3.多级放大电路的频率特性图2-25两级放大器的幅频与相频特性多级放大电路的通频带，总是比组成它的每一级的通频带窄，级数越多，通频带越窄。第2章放大电路2.6场效应晶体管放大电路2.6.1场效应晶体管放大电路的静态分析1．自给偏压电路图2-26自给偏压电路?栅源偏压为这种栅源偏压是依靠自身电流ID产生的，故称为自给偏压电路。显然，这种偏置方式只适用于耗尽型MOS，而不能用于由增强型MOS构成的放大电路。2.分压式偏置电路图2-27分压式偏置共源放大电路?栅源偏压为这种栅源偏压可正可负，所以分压式偏置电路既适合于增强型MOS，也适用于耗尽型MOS。第2章放大电路2.6.2场效应晶体管放大电路的动态分析1．场效应晶体管的微变等效模型图2-28场效应晶体管的微变等效模型从输入回路看，场效应晶体管的输入电阻极高，栅极电流近似为0，所以可认为场效应晶体管的输入回路(g、s极间)开路。从输出回路看，场效应晶体管的漏极电流(输出电流)受栅源电压(输入电压)控制，因此，场效应晶体管的输出回路可用一个受栅源电压控制的受控电流源代替。画出场效应晶体管的微变等效模型如图2-28所示。第2章放大电路2.1放大电路基础2.2基本放大电路的分析2.3分压式偏置电路2.4共集电极电路——射极输出器2.5多级放大电路2.6场效应管放大电路2.7功率放大电路2.8集成运算放大器第2章放大电路2.1放大电路基础(1)三极管V：实现电流放大(4)集电极负载电阻RC:将三极管集电极电流的变化转变为电压变化，以实现电压放大。