太阳能电池制造工艺.pptVIP

PN结两端的电流光电池处于零偏时，V＝0，流过PN结的电流I＝－IP；光电池处于反偏时，流过PN结的电流I＝－IP-Is，当光电池用作光电转换器时，必须处于零偏或反偏状态。光电流IP与输出光功率Pi之间的关系：R为响应率，R值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长。第29页，共48页，星期日，2025年，2月5日第30页，共48页，星期日，2025年，2月5日光电池的伏安特性下图显示了光电池的典型I-V曲线。Pm为最大功率点。它的确定可用从光电池I-V曲线上任意点向纵、横坐标引垂线，垂线与坐标轴保卫面积最大的点即为Pm。根据该特性曲线可以确定光电池的开路电压、短路电流。第31页，共48页，星期日，2025年，2月5日?太阳电池的短路电流等于其光生电流。决定短路电流的因素很多，分析短路电流的最方便的方法是将太阳光谱划分成许多段，每一段只有很窄的波长范围，并找出每一段光谱所对应的电流，电池的总短路电流是全部光谱段贡献的总和。第32页，共48页，星期日，2025年，2月5日负载特性第33页，共48页，星期日，2025年，2月5日四、提高太阳能电池效率的途经在硅太阳能电池的制造历史中已经采用过许多措施来提高太阳能电池的光电转换效率，并且随着能源的不断消耗，高效太阳能的研究正热火朝天地进行。主要针对：1.降低光电子的表面复合，如降低表面态等；2.降低入射光的表面反射，用多种太阳光减反射技术，如沉积减反层、硅片表面织构技术、局部背表面场技术，最大限度地减少太阳光在硅表面的反射；3.电极低接触电阻和集成受光技术，如激光刻槽埋栅技术和表面浓度扩散技术，使电极接触电阻低和增加硅表面受光面积。4.降低P-N结的结深和漏电；5.采用高效廉价光电转换材料；后面主要介绍高效太阳能电池材料和结构。第34页，共48页，星期日，2025年，2月5日第1页，共48页，星期日，2025年，2月5日太阳能电池制造工艺第2页，共48页，星期日，2025年，2月5日主要内容硅太阳能电池工作原理太阳能电池硅材料硅太阳能电池制造工艺4.提高太阳能电池效率的途经5.高效太阳能电池材料6.高效太阳能电池结构第3页，共48页，星期日，2025年，2月5日一、硅太阳能电池工作原理太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能源，不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用中；大阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域，是其中最受瞩目的项目之一。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生内光电效应，将光能转换为电能。根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：硅基太阳能电池和薄膜电池，本章主要讲硅基太阳能电池。第4页，共48页，星期日，2025年，2月5日太阳能电池发电的原理主要是半导体的内光电效应，一般的半导体主要结构如下：图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。

1．硅太阳能电池工作原理与结构第5页，共48页，星期日，2025年，2月5日当硅晶体中掺入其他的杂质，如硼、磷等，当掺入硼时，硅晶体中就会存在着一个空穴，它的形成可以参照下图：图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子，因为硼原子周围只有3个电子，所以就会产生入图所示的蓝色的空穴，这个空穴因为没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和，形成P型半导体。第6页，共48页，星期日，2025年，2月5日同样，掺入磷原子以后，因为磷原子有五个电子，所以就会有一个电子变得非常活跃，形成N型半导体。黄色的为磷原子核，红色的为多余的电子。如下图。当P型和N型半导体材料结合时，P型（N型）材料中的空穴（电子）向N型（P型）材料这边扩散，扩散的结果使得结合区形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区。第7页，共48页，星期日，2025年，2月5日PN结的形成及工作原理零偏负偏正偏

当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外加电场作用下变窄，势垒削弱。当光电池用作光电转换器时，必须处于零偏或反偏状态。

第8页，共48页，星期日，