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1.了解光电测量的基本知识及光电器件的特性
2.了解常用的光电传感器及其应用
3.掌握光纤传感器的结构、检测原理及其简单应用;;;阳极;;内光电效应;
一、光敏电阻
(1)结构和原理
光敏电阻又称光导管。光敏电阻是用半导体材料制成的。在玻璃底板上均匀地涂上薄薄的一层半导体物质,半导体的两端装上金属电极,使电极与半导体层可靠地电接触,然后,将它们压入塑料封装体内。为了防止周围介质的污染,在半导体光敏层上覆盖一层漆膜,漆膜成分的选择应该使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。;;光敏电阻利用光电导效应制成,一般选用禁带宽度较宽的半导体材料。
光电导原理:当入射光照到半导体上时,光子的能量如果大于禁带宽度,即hf≥Eg,则电子受光子的激发由价带越过禁带跃迁到导带,在价带中留下带正电的空穴,在外加电压作用下,导带中的电子和价带中的空穴同时参与导电,即载流子数增多使其电阻下降。;;
在一定照度下,流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系
①一定光照,R一定,I正比于U。
②一定电压,I随着光照E增强而增大。
E↑→R↓→I↑。;;SI制:七个基本单位;2)光照特性(I~E);3)光谱特性(Kr%)
光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光谱特性。亦称为光谱响应。;4)温度特性
温度变化影响光敏电阻的光谱响应。
硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线,它的峰值随着温度上升向波长短的方向移动。因此,硫化铅光敏电阻要在低温、恒温的条件下使用。对于可见光的光敏电阻,其温度影响要小一些。;
二、光敏二、三极管
1)光敏二极管
(1)结构和工作原理
光敏二极管又称光电二极管,与普通二极管在结构上是类似的。;做得较大,而管芯上的电极面积做得较小,PN结的结深比普通半导体二极管做得浅,这些结构都是为了提高光电转换的能力。与普通硅半导体二极管一样,在硅片上生长了一层二氧化硅保护层,它把PN结的边缘保护起来,提高了管子的稳定性,减小了暗电流。;光敏二极管在电路中处于反向偏置,在没有光照射时,反向电阻很大,反向电流(???电流)很小。当光照射在PN结上,光子打在PN结附近,使PN结附近产生光生电子及光生空穴,因此使PN结的反向电流增大。;②暗电流
暗电流:光敏二极管在无光照、最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小,光敏二极管的性能越稳定,检测弱光的能力越强。;光敏二极管的基本特性;2)伏安特性;3)光照特性;4)温度特性;2)光敏三极管
(1)结构和工作原理
光敏三极管:PNP型和NPN型。;(2)光敏三极管的主要特性
①光敏三极管的光谱特性
光敏三极管存在一个最佳灵敏度的峰值波长。当入射光的波长增加时,相对灵敏度要下降。;;③光敏三极管的光照特性
光敏三极管的输出电流I和照度之间的关系,它们之间呈近似线性关系。当光照足够大(几千勒克斯)时,会出现饱和现象,从而使光敏三极管既可作线性转换元件,也可作开关转换元件。;;三、光电池
光电池基于阻挡层的光电效应工作的。
在光线照射下,直接将光量转变为电动势的光电元件。实质上它就是电压源。
光电池的种类很多,有硒光电池、氧化亚铜光电池、;硫化铊光电池、硫化镉光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓光电池等。其中硅光电池和硒光电池用途广泛。;硒光电池是在铝片上涂硒,再用溅射的工艺,在硒层上形成一层半透明的氧化硒。在正反两面喷上低溶合金作为电极。在光线照射下,镉材料带负电,硒材料上带正电,形成光电流或光电势。;硅光电池的光谱范围广,即为4500~11000之间,硒光电池的光谱范围为3400~7500。因此硒光电池适用于可见光,常用于照度计测定光的强度。;光电池的短路电流:是反映外接负载电阻相对于光电池内阻很小时的光电流。而光电池的内阻是随着照度增加而减小的,所以在不同照度下可用大小不同的负载电阻为近似“短路”条件。
从实验中知道,负载电阻越小,光电流与照度之间的线性关系越好,且线性范围越宽。
对于不同的负载电阻,可在不同的照度范围内,使光电流与光强保持线性关系,所以应用光电池作测量元件时,所用负载电阻的大小,应根据光强的具体情况而定。总之,负载电阻越小越好。;③光电池的频率特性
光电池在作为测量、计数、接收元件时,常用交变光照。
光电池的频率特性:反映光的交变频率和光电池输出电流的关系。
硅光电池可以有很高的频率响应;;四、光电耦合器
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