QDSJ111 第三代半导体碳化硅-2025.pdfVIP

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随着半导体逐渐进入人们的视野，时至今日半导体材料家族也在逐

渐扩大，现在的半导体迭代也已经到了第三代，第三代半导体以碳

化硅以及氮化镓为代表。

可应用在更高阶的高压功率元件，以及高频通讯元件领域：例如高

温、高频、抗辐射、大功率器件等等。

第三代半导体的优势在哪里呢？

⚫比导通电阻是硅器件的近千分之一（在相同的电压/电流等级），

可以大大降低器件的导通损耗；

⚫开关频率是硅器件的20倍，可以大大减小电路中储能元件的体积，

从而成倍地减小设备体积，减少贵重金属等材料的消耗；

⚫理论上可以在600℃以上的高温环境下工作，并有抗辐射的优势，

可以大大提高系统的可靠性，在能源转换领域具有巨大的技术优

势和应用价值。

第三代半导体器件如今的应用领域非常广泛

智能电网、电动汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电

机以及家用电器等领域得到应用，并展现出良好的发展前景，可以

说全球正在逐渐进入第三代半导体时代。

而就第三代半导体来说：碳化硅是目前发展最成熟的半导体材料，

氮化镓紧随其后，金刚石、氮化铝和氧化镓等也成为国际前沿研究

热点。

碳化硅又名碳硅石、金刚砂，是一种无机物，化学式为SiC，是用石

英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）

等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿

物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为

应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。

1891年美国人艾奇逊在电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一

种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年

艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是大家常说的艾奇

逊炉，一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石

英SIO2和碳的混合物生成碳化硅，随后碳化硅就被进一步研发：

1905年第一次在陨石中发现碳化硅。

1907年第一只碳化硅晶体发光二极管诞生。

1955年高品质碳化概念提出，从此将SiC作为重要的电子材料。

1958年在波士顿召开第一次世界碳化硅会议进行学术交流。

1978年首次采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法。

1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始

提供商品化的碳化硅基。

碳化硅功率半导体器件为更小体积、更快速度、更低成本、更高效

率的下⼀代电力电子技术的进步提供了机遇，在智能电网、轨道交

通、电动汽车、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等

领域具有重大的应用前景和产业价值。尽管全球碳化硅器件市场已

经初具规模，但是碳化硅功率器件领域仍然存在一些诸多共性问题

亟待突破，比如碳化硅单晶和外延材料价格居高不下、材料缺陷问

题仍未完全解决。碳化硅器件制造工艺难度较高、高压碳化硅器件

工艺不成熟、器件封装不能满足高频高温应用需求等。

碳化硅的生产机理

目前生长碳化硅单晶最成熟的方法是物理气相输运（PVT）法，：

在超过2000℃高温下将碳粉和硅粉升华分解成为Si原子、Si2C分子

和SiC2分子等气相物质，在温度梯度的驱动下，这些气相物质将被

输运到温度较低的碳化硅籽晶上形成4H型碳化硅晶体。

通过控制PVT的温场、气流等工艺参数可以生长特定的4H-SiC晶型。

碳化硅单晶材料主要有导通型衬底和半绝缘衬底两种。

高质量、大尺寸的碳化硅单晶材料是碳化硅技术发展首要解决的问

题，持续增大晶圆尺寸、降低缺陷密度（微管、位错、层错等）是

其重点发展方向。

当前碳化硅功率模块主要有引线键合型和平面封装型两种。为了充

分发挥碳化硅功率器件的高温、高频优势，必须不断降低功率模块

的寄生电感、降低互连层热阻，并提高芯片在高温下的稳定运行能

力。但实际上，不仅是工艺问题，在整个制造过程中的外部保护也

是一个很重要的问题。

随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半

导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的

工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、

更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。

经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经

接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为

代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。

技术领先国家和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和

产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。

第三代半导体器件的优势主要表现在：

（1）比导通电阻是硅器件的近