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介孔二氧化硅：开启聚合物超临界二氧化碳微孔发泡的新征程

一、引言

1.1研究背景与意义

随着材料科学的不断发展，微孔发泡材料因其独特的性能优势在众多领域得到了广泛关注。微孔发泡材料是指泡孔尺寸在1-100μm之间，泡孔密度大于10?个/cm3的一类新型材料。与传统材料相比，微孔发泡材料具有密度低、比强度高、隔热性能好、缓冲性能优异等优点。这些特性使得微孔发泡材料在航空航天、汽车制造、建筑保温、电子包装等领域展现出巨大的应用潜力。例如，在航空航天领域，微孔发泡材料的低密度特性可有效减轻飞行器的重量，提高燃油效率；在汽车制造中，其良好的缓冲性能和比强度可用于制造汽车内饰和结构部件，提升汽车的安全性和舒适性。

在微孔发泡材料的制备技术中，超临界二氧化碳（SC-CO?）发泡技术脱颖而出，成为近年来的研究热点。超临界二氧化碳是指温度和压力均高于其临界值（31.1℃，7.38MPa）的二氧化碳流体。在超临界状态下，二氧化碳兼具气体和液体的特性，具有较低的粘度、较高的扩散系数和良好的溶解性。与传统的化学发泡剂相比，超临界二氧化碳发泡技术具有诸多显著优势。首先，超临界二氧化碳是一种环境友好型发泡剂，无毒、无味、不可燃，在发泡过程中不会产生有害气体，符合绿色环保的发展理念。其次，超临界二氧化碳能够在聚合物熔体中均匀溶解和扩散，形成均相体系，从而实现对泡孔结构的精确控制，制备出泡孔尺寸均匀、分布细密的微孔发泡材料。此外，超临界二氧化碳发泡技术还可以降低聚合物的熔体粘度，提高熔体的流动性，有利于成型加工，同时还能减少制品的残余应力，提高制品的尺寸精度和稳定性。

然而，超临界二氧化碳发泡技术在实际应用中仍面临一些挑战。其中，泡孔的成核和生长过程难以精确控制是制约该技术发展的关键因素之一。在超临界二氧化碳发泡过程中，泡孔的成核和生长受到多种因素的影响，如温度、压力、二氧化碳浓度、聚合物熔体的流变性能等。这些因素相互作用，使得泡孔结构的调控变得复杂。为了改善泡孔结构，提高微孔发泡材料的性能，研究人员通常会在聚合物体系中添加成核剂。成核剂能够提供额外的成核位点，增加泡孔的成核密度，从而细化泡孔结构，提高材料的性能。

介孔二氧化硅（MesoporousSilica，MS）作为一种新型的无机纳米材料，近年来在聚合物超临界二氧化碳微孔发泡领域展现出了独特的应用潜力。介孔二氧化硅具有规则的介孔结构，孔径通常在2-50nm之间，比表面积大（可达数百平方米每克），孔容高。这些结构特点使得介孔二氧化硅能够在聚合物超临界二氧化碳微孔发泡过程中发挥多重作用。一方面，介孔二氧化硅可以作为物理成核剂，利用其表面的活性位点和高比表面积，促进二氧化碳在聚合物熔体中的成核，提高泡孔的成核密度，从而获得更小尺寸和更均匀分布的泡孔结构。另一方面，介孔二氧化硅还可以与聚合物分子相互作用，改善聚合物熔体的流变性能，增强熔体的强度，抑制泡孔的合并和塌陷，进一步优化泡孔结构，提高微孔发泡材料的性能。

此外，介孔二氧化硅还具有良好的化学稳定性、生物相容性和可修饰性。通过对介孔二氧化硅表面进行化学修饰，可以引入各种功能性基团，使其与聚合物具有更好的相容性，进一步增强其在聚合物超临界二氧化碳微孔发泡中的作用效果。例如，在介孔二氧化硅表面接枝有机聚合物链，可以提高介孔二氧化硅与聚合物基体的界面结合力，从而更有效地调控泡孔结构。

综上所述，研究介孔二氧化硅在聚合物超临界二氧化碳微孔发泡中的应用具有重要的理论意义和实际应用价值。从理论角度来看，深入研究介孔二氧化硅对聚合物超临界二氧化碳微孔发泡过程中泡孔成核、生长和稳定的影响机制，有助于丰富和完善微孔发泡理论，为微孔发泡材料的制备提供更坚实的理论基础。从实际应用角度来看，开发基于介孔二氧化硅的聚合物超临界二氧化碳微孔发泡技术，有望制备出性能优异的微孔发泡材料，满足航空航天、汽车、电子等领域对高性能材料的需求，推动相关产业的发展。

1.2国内外研究现状

在聚合物超临界二氧化碳微孔发泡领域，介孔二氧化硅的应用研究近年来受到了国内外学者的广泛关注，取得了一系列重要进展。

国外方面，早期的研究主要聚焦于介孔二氧化硅作为成核剂对聚合物微孔发泡的影响。如[具体文献1]通过实验发现，在聚丙烯（PP）/超临界二氧化碳体系中添加介孔二氧化硅，能够显著提高泡孔的成核密度，使泡孔尺寸明显减小。研究表明，介孔二氧化硅的高比表面积和丰富的表面活性位点为二氧化碳的成核提供了大量的异相成核中心，有效促进了泡孔的形成。随着研究的深入，学者们开始关注介孔二氧化硅与聚合物之间的界面相互作用对发泡行为的影响。[具体文献2]利用表面修饰技术对介孔二氧化硅进行改性，使其表面接枝上与聚合物相容性良好的有机基团，结果发现改性后的介孔二氧化硅在聚合物