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工业加热器

2025/3/16REVA

陶瓷加热器—氮化铝

半导体陶瓷加热器（氮化铝AIN加热盘）——半导体装备关键零部件在集成

电路等半导体装置制造工序中，要对半导体晶圆进行成膜处理及蚀刻处理等

各种处理。在对晶圆进行加工制造工艺中，需要将晶圆加热到一定温度下进

行，且对晶圆温度的均匀性有非常严格的要求，因为晶圆温度的均匀性对半

导体芯片的质量有着非常重要的影响；同时还需要在真空、等离子体、化学

气体等环境下工作，这就要用到陶瓷加热器。

。

需要注意：

•热冲击：尽管氮化铝具有较低的热膨胀系数，但在极端温度变化下仍可能发生热冲击，需避免快速升降温。

•机械冲击：氮化铝虽然硬度高，但脆性较大，需避免机械冲击或碰撞。

陶瓷加热器通常采用电阻丝(如钨、钼)作为加热元件，通过通电使电阻丝发热，从而将热量传递给加热器表面，实

现对半导体材料的加热，在半导体生产过程中具有重要作用，可用于晶体生长、退火、烘烤等工艺中。常见的加热

器一般是8英寸，12英寸。按照应用分类，主要包括：化学沉积（CVD）、原子层沉积系统（ALD）、等离子体增

强化学气相沉积。

陶瓷加热器—氮化铝

陶瓷加热器通常采用氮化铝陶瓷，氮化铝具有电绝缘性项目铝加热器氮化铝加热器

和优异的导热性，对于需散热的应用而言，它是理想之作业温度R.T~450℃/MaxR.T~800℃

选；此外，由于其热膨胀系数接近硅，且具有优异的等

离子体抗性，可被用于制造半导体加工设备部件。熔点660.25℃1800℃

热导率230W/mK170~220W/mK

热膨胀系数23.6x10-6/℃4.03x10-6/℃

陶瓷加热器—氮化铝

加工与表面处电极与引线连

成型工艺

•AIN(99.5%)•脱脂排胶理•加热元件(如钨、接

•添加剂•干压成型•高温烧结•研磨抛光钼或铂)•电极安装

（Y2O3,CaO)•等静压成型（1800℃）•表面涂层•嵌入：共烧或后•引线连接

•注塑成型嵌

材料准备烧结工艺加热元件嵌入

注意事项：

1.AIN粉末的纯度和均匀性直接影响加热盘的热导率和电绝缘性能；

2.升温速率不宜过快，以防止坯体开裂或变形；

3.烧结过程中需严格控制温度和气氛，避免氮化铝分解或氧化；

4.加热元件的布局需合理，以确保加热盘的温度均匀性；

5.加热元件与氮化铝基体的热膨胀系数需匹配，以减少热应力；

6.氮化铝硬度高但脆性大，加工时需使用专用工具，避免产生裂纹或崩边；

7.加工后需进行表面处理，以减少表面缺陷对性能的影响；

8.由于氮化铝的热膨胀系数较低，加热盘在高温下可能产生热应力，需通过设计优化（如增加支撑结构）来减少

应力集中。

陶瓷加热器—氮化铝

工序生产设备备注

材料准备球磨机、筛分