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物理学报
Acta
Phys.
Sin.Vol.73,No.7(2024)077701
B位空位补偿型钐掺杂PZT(54/46)陶瓷中的
缺陷分析及其对压电性能的影响*
1)†1)2)‡1)1)
杨静
冯少蓉
张涛
牛旭平
王荣
1)3)3)3)
李敏
于润升
曹兴忠
王宝义
1)
(西安科技大学理学院,
西安710600)
2)
(西安科技大学材料科学与工程学院,
西安710600)
3)
(中国科学院高能物理研究所,
北京100049)
(2023
年11
月28日收到;
2024
年1
月3日收到修改稿)
用固相反应法制备了B位空位补偿型钐掺杂非准同型相界组分PZT(54/46)陶瓷.
通过正电子湮没寿命
谱(PALS)和符合多普勒展宽能谱(CDBS)对陶瓷中的缺陷结构进行综合表征,
结合常规表征手段如X射线
衍射(XRD),
电子扫描显微镜(SEM),
介电、铁电和压电性能测量,
研究缺陷对陶瓷压电性能的影响.
XRD结
果显示所有陶瓷均为纯钙钛矿相,
掺杂诱导了菱方-四方(R-T)相变,
准同型相界位于Sm掺杂量x
=
0.01
0.02.
电学测量结果反映:
介电、铁电和压电性能均先增强后减弱,
MPB附近两个样品都有优异的介电和铁
电性能,
但其压电性能差别很大.
x
=
0.01给出最优压电性能d
=
572
pC/N,
较未掺杂样品增强了一倍.
33
PALS结果表明掺杂使陶瓷中缺陷类型发生变化,
x
≤
0.01,
样品中同时含有A位空位与B位空位;
x
≥
0.02,
样品中以A位相关缺陷为主,
B位空位浓度很低.
CDBS结果进一步证实x
=
0.01和0.02中B位空位浓度分
别是该体系中最高和最低的.
由以上结果推断出:
x
=
0.01获得的最优压电性能与其中较高浓度的B位空位
有关,
B位空位可稀释A位空位浓度,
降低氧空位浓度,
从而降低A位空位与氧空位形成缺陷偶极子的几率,
促进畴壁运动,
使压电性能增强.
关键词：PZT压电陶瓷,
正电子湮没技术,
空位缺陷
PACS：77.84.Cg,
78.70.Bj,
61.72.jdDOI:10.7498/aps.73
获得高压电性能的方法是缺陷工程,
即通过化学
1
引言掺杂引入缺陷间接控制铁电畴,
进而调控材料的
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