氮化镓基发光二极管低频噪声特性及机制的深度剖析.docx

氮化镓基发光二极管低频噪声特性及机制的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子技术领域，氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）凭借其卓越的性能优势，成为了研究与应用的焦点。作为第三代半导体材料的典型代表，氮化镓具有禁带宽度大（约3.4eV）、击穿场强高、饱和电子迁移速率高、热导率大、介电常数小以及抗辐射能力强等一系列优异特性，这些特性使得GaN基LED在众多领域展现出巨大的应用潜力。

在照明领域，GaN基LED以其高效节能、长寿命、环保等特点，逐渐取代传统的白炽灯和荧光灯，成为新一代照明光源的主力军。以普通家庭照明为例，使用GaN基LED灯泡相较于传统